Branching into two spin-orbit levels in ionization of rare gases induced by intense UV laser fields

希ガスの高強度紫外レーザー場イオン化におけるスピン軌道2準位への分岐

Nakano, Motoyoshi; Otobe, Tomohito; Itakura, Ryuji

高強度紫外フェムト秒レーザー(398nm、直線偏光)を用いてXe及びKrの光電子画像分光を行った。5光子イオン化過程における1価イオン電子基底状態のスピン軌道分裂2準位( $^{2}$ P $_{3/2}$ および $^{2}$ P $_{1/2}$ )間の生成分岐比及び光電子角度分布に着目し、それらのレーザー強度依存性を明らかにした。Xeは7から33TW/cm $^{2}$ 、Krは8から38TW/cm $^{2}$ の範囲にて測定した。生成分岐比に関しては、Xe, Krともレーザー強度の増加とともにエネルギー的に下の準位である $^{2}$ P $_{3/2}$ 状態への分岐比が増大することが観測された。一方、光電子角度分布については、Xeの場合、2準位とも強度依存が観測されなかった。それに対し、Krの場合では、 $^{2}$ P $_{3/2}$ 状態生成では偏光方向に直交する成分がレーザー強度の増加とともに減少し、 $^{2}$ P $_{1/2}$ 状態生成では増加するという、終状態ごとに異なる強度依存性が観測された。

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使用言語	:	English
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発表会議名	:	30th Symposium on Chemical Kinetics and Dynamics
開催年月	:	2014/06
開催都市	:	Himeji
開催国	:	Japan
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受委託・共同研究相手機関	:	文部科学省

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