Evidence of electronic polarization of the As ion in the superconducting phase of F-doped LaFeAsO

フッ素ドープLaFeAsOの超伝導相におけるヒ素イオンの電子分極の証拠

Kim, J.*; 藤原 明比古*; 澤田 智弘*; Kim, Y.*; 杉本 邦久*; 加藤 健一*; 田中 宏志*; 石角 元志*; 社本 真一  ; 高田 昌樹*

Kim, J.*; Fujiwara, Akihiko*; Sawada, Tomohiro*; Kim, Y.*; Sugimoto, Kunihisa*; Kato, Kenichi*; Tanaka, Hiroshi*; Ishikado, Motoyuki*; Shamoto, Shinichi; Takata, Masaki*

放射光X線粉末回折データをもとに、電子密度解析を行い、低温でLaFeAsOFの超伝導相の鉄層にのみ電子が集まっていることが見つかった。静電ポテンシャル分布解析の結果、ヒ素イオンの電子分極が協調的に増強され、電荷の再配列が起こっていた。

Using a charge density analysis based on synchrotron radiation X-ray powder diffraction data, we found that the charge carriers only accumulated in the iron layer of the superconducting phase of LaFeAsOF at low temperatures. Analysis of the electrostatic potential distribution revealed the concerted enhancement of the electronic polarization of the As ions and the carrier redistribution.