Effect of annealing on proton irradiated AlGaN/GaN based micro-Hall sensors

陽子線照射した窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムマイクロホールセンサーに対する熱処理の効果

Abderrahmane, A.*; 高橋 大樹*; 田代 起也*; Ko, P. J.*; 岡田 浩*; 佐藤 真一郎; 大島 武; Sandhu, A.*

Abderrahmane, A.*; Takahashi, Hiroki*; Tashiro, Tatsuya*; Ko, P. J.*; Okada, Hiroshi*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Sandhu, A.*

380keV陽子線を1, 1, 1cm照射したAlGaN/GaNマイクロホールセンサーの673Kでの熱処理の影響を調べた。カソードルミネッセンス測定を室温で行い、熱処理前後での変化を調べたところ、GaN層からのバンド間発光の回復が起こっていることが分かった。また、磁気特性や増加した直列抵抗の回復が観察されたが、高照射量である1cmの試料においては熱処理後もなお高抵抗であり、初期値の72%までの回復であることが判明した。

The effect of annealing at 673 K on irradiated micro-Hall sensors irradiated with protons at 380 keV and fluences of 1 cm, 1 cm, 1 cm is reported. Cathodoluminescence measurements were carried out at room temperature before and after annealing and showed improvement in the band edge band emission of the GaN layer. After annealing a sensor irradiated by 1 cm the device became operational with improvements in its magnetic sensitivity. All irradiated sensors showed improvement in their electrical characteristics after annealing.