ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

Evaluation of the yield for silicon-vacancy center formation by low-energy silicon ion implantation into diamond

田村 崇人*; 小池 悟大*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; McGuinness, L.*; Rogers, L.*; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; Wu, E.*; Yan, L.*; Jelezko, F.*; 大島 武; 品田 賢宏*; 磯谷 順一*; 谷井 孝至*

Tamura, Shuto*; Koike, Godai*; Teraji, Tokuyuki*; Onoda, Shinobu; McGuinness, L.*; Rogers, L.*; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; Wu, E.*; Yan, L.*; Jelezko, F.*; Oshima, Takeshi; Shinada, Takahiro*; Isoya, Junichi*; Tanii, Takashi*

量子情報通信において重要な要素技術の1つである単一光子源として知られているシリコンと原子空孔からなるSiVセンターの生成収率を調べた。以前の研究で、60keVの低エネルギーSiイオンをスポット状に集束させてダイヤモンドに注入することで、SiVセンターの配列を作製することが可能であることを見出している。本研究では、1スポットあたりの注入イオン数を減らしていき、たった1つのSiVセンターを作製するための最小イオン注入量を求め、SiVセンターの収率を調べた。その結果、60keVの低エネルギーSiイオン注入の場合、SiVセンターが形成される収率が15%であることが分かった。

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