InGaAs量子ドット層を有するGaAs太陽電池の陽子線照射劣化

Proton irradiation degradation of GaAs solar cells with InGaAs quantum dot layers

佐藤 真一郎; 大島 武; 中村 徹哉*; 今泉 充*; 菅谷 武芳*; 松原 浩司*; 仁木 栄*; 武田 明紘*; 岡野 好伸*

Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Nakamura, Tetsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Sugaya, Takeyoshi*; Matsubara, Koji*; Niki, Shigeru*; Takeda, Akihiro*; Okano, Yoshinobu*

III-V族半導体量子ドットは次世代太陽電池の超高効率化技術として期待されていることから、宇宙環境での利用を想定した場合、放射線暴露による影響を明らかにする必要がある。そこで今回、インジウムガリウム砒素(InGaAs)の量子ドット層を50層含むPiN型ガリウム砒素(GaAs)太陽電池と量子ドット層を含まない比較用GaAs太陽電池に、150keVおよび3MeV陽子線を照射し、発電特性の変化を調べた。その結果、低照射量では量子ドット太陽電池の方が比較用GaAs太陽電池よりも劣化がやや小さかったが、照射量の増加と共に急激な劣化が生じることが分かった。これは陽子線のエネルギーによらず生じたため、量子ドット太陽電池に特有の現象であると考えられる。

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