UIrSiの単結晶育成と基礎物性

Physical properties of UIrSi single crystal

Gochi, Jun; Pospisil, J.; Haga, Yoshinori; Tateiwa, Naoyuki; Yamamoto, Etsuji

UIrSiは斜方晶TiNiSi型の結晶構造を持つ。先行研究では、結晶場の影響により、80K以下で磁化率がキュリーワイス則から外れ、さらに8K以下で近藤効果による電気抵抗の増大が観測されている。今回、我々は、高純度試料について基礎物性の測定を行うことで、より詳細な情報を得ることを目的として単結晶を育成し、さらに超高真空エレクトロトランスポート法による精製を行った。講演では作製したUIrSiの結晶パラメタ及び、電気抵抗、比熱、磁化率などの測定結果について議論を行う予定である。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	日本物理学会2015年秋季大会(物性)
開催年月	:	2015/09
開催都市	:	吹田
開催国	:	日本
キーワード	:	ウラン化合物

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使用施設	:	第4研究棟
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登録番号 : BB20151106
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