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Spacing between graphene and metal substrates studied with total-reflection high-energy positron diffraction

全反射高速陽電子回折による金属基板上のグラフェンの高さの研究

深谷 有喜; 圓谷 志郎; 境 誠司; 望月 出海*; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 社本 真一

Fukaya, Yuki; Entani, Shiro; Sakai, Seiji; Mochizuki, Izumi*; Wada, Ken*; Hyodo, Toshio*; Shamoto, Shinichi

本研究では、全反射高速陽電子回折法を用いて、貴金属および遷移金属基板上のグラフェンの構造を調べた。動力学的回折理論に基づく構造解析から、CuおよびCo基板上のグラフェンの高さをそれぞれ3.34${AA}$および2.06${AA}$と決定した。Cu基板上のグラフェンの高さはグラファイトの層間距離に近く、グラフェン・Cu基板間の相互作用は非常に弱いことがわかった。一方、Co基板上のグラフェンの高さは、Cu基板上のものに比べ1${AA}$以上も低く、Co基板上のグラフェンは基板と強く相互作用していることが実験的に確かめられた。

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パーセンタイル:42.96

分野:Chemistry, Physical

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