サファイア上に成長した単層酸化グラフェンのXAFSによる研究

XAFS study of single-layer graphene oxide grown on sapphire(0001)

圓谷 志郎; 本田 充紀   ; 滝沢 優*; 下山 巖   ; 楢本 洋*; 境 誠司; 社本 真一  

Entani, Shiro; Honda, Mitsunori; Takizawa, Masaru*; Shimoyama, Iwao; Naramoto, Hiroshi*; Sakai, Seiji; Shamoto, Shinichi

酸化グラフェンはグラフェンの大量合成を可能にする素材として研究が進んでいる物質である。発表者らは、基板上に形成した酸化グラフェン薄膜に金属イオンを吸着させ、吸着状態を表面科学手法により調べることにより、酸化グラフェンへの吸着機構を探索している。本研究では、サファイア基板上に作製した単層酸化グラフェン薄膜への原子構造やセシウムの吸着状態についてXAFSやXPSを用いて探索した。単層酸化グラフェンはサファイア基板上にCVD法で成長した単層グラフェンを酸化することにより作製した。Cs吸着前後の電子状態や原子構造を炭素および酸素のK吸収端(立命館大学SRセンター)、セシウムL3吸収端XAFS(KEK PF)により評価した。その結果、単層酸化グラフェン中のCOOHにセシウムが吸着することや酸化グラフェン1kgに対して650-850gものセシウムを吸着できることを明らかにした。

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