検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

keVからサブGeVのイオン注入を用いて形成したNVセンターの特性評価

Characterization of NV centers created by ion implantation with the energy ranging from keV to Sub GeV

小野田 忍; 春山 盛善; 寺地 徳之*; 磯谷 順一*; Christoph, M.*; McGuinness, L.*; Balasubramanian, P.*; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; 小池 悟大*; 東又 格*; 稲葉 優文*; 大島 武; 加田 渉*; 花泉 修*; 谷井 孝至*; 川原田 洋*

Onoda, Shinobu; Haruyama, Moriyoshi; Teraji, Tokuyuki*; Isoya, Junichi*; Christoph, M.*; McGuinness, L.*; Balasubramanian, P.*; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; Koike, Godai*; Higashimata, Itaru*; Inaba, Masafumi*; Oshima, Takeshi; Kada, Wataru*; Hanaizumi, Osamu*; Tanii, Takashi*; Kawarada, Hiroshi*

室温動作可能な量子ビットとして応用可能な良質な窒素・空孔(NV)を実現するためには、$$^{13}$$C、格子位置の不純物窒素、格子欠陥等の余剰なスピンを取り除く必要がある。狙った箇所にNVを形成することが容易なイオン注入は、窒素イオンを効率よくNVに変換可能という利点があるが、一方で余剰な欠陥を残留させない工夫が必要がある。本研究では、原子空孔の挙動を調べる目的で、keVからサブGeVのイオンビームを用いて、異なる濃度・分布の原子空孔を導入し、その後、1000$$^{circ}$$Cの熱処理を施して原子空孔を拡散させてNVを形成した。NVの分布を解析することで打込んだイオンと原子空孔の挙動を考察した結果、生成されたNVは熱拡散せず安定に存在することが判明した。また、NVが安定であることから、NVの分布を調べることでイオンの飛跡が検出できることも見出した。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.