Growth of single-phase nanostructured ErO thin films on Si (100) by ion beam sputter deposition

イオンビームスパッタ蒸着法による単相ErOナノ薄膜の成長

Mao, W.*; 藤田 将弥*; 近田 拓未*; 山口 憲司; 鈴木 晶大*; 寺井 隆幸*; 松崎 浩之*

Mao, W.*; Fujita, Masaya*; Chikada, Takumi*; Yamaguchi, Kenji; Suzuki, Akihiro*; Terai, Takayuki*; Matsuzaki, Hiroyuki*

イオンビームスパッタ蒸着法では初めて、成膜温度973K、成膜時の真空度10Pa未満という条件で、Si (100)基板上に単相のErO(110)薄膜を作製することに成功した。Erのシリサイドが反応時に生成するものの1023Kでの加熱アニールにより、EOの単相膜に変化し、エピタキシャル成長することを反射高速電子線回折法(RHEED)やX線回折法(XRD)などの手法によって確認した。

Single-phase nanocrystalline thin films of ErO (440) has been first prepared using Si (100) substrates by ion beam sputter deposition at 973 K at a pressure of 10 Pa and - annealing at 1023 K at a pressure of 10 Pa. Er silicides formed during the deposition are eliminated via the annealing, which results in the single phase and the smooth surface of the ErO thin films. The epitaxial relationship between Si (100) and ErO (110) is clarified by X-ray diffraction and reflection high energy electron diffraction.