その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測

Observation of strain relaxation in MBE-grown nitride semiconductors by in situ synchrotron X-ray diffraction

Sasaki, Takuo; Deki, Ryota; Ishikawa, Fumitaro*; Yamaguchi, Tomohiro*; Takahashi, Masamitsu

窒化物半導体は1993年の高輝度青色LEDが発表されて以降、比較的短時間で普及に至ったという経緯から、今なお、表面・界面、ひずみ、欠陥構造など未知な部分が取り残されたままである。我々はこれらの結晶成長の基礎を十分に理解することが、デバイスの極限性能を追求するためには重要と考え、高輝度放射光X線を利用した結晶成長その場測定システムを開発した。本研究は同システムを利用して最近得られた窒化物半導体薄膜のひずみ緩和観測と、臨界膜厚を推定した結果を報告する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2016年(平成27年)第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2016/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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