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NVセンターの形成効率の熱処理温度依存性

Annealing temperature dependence of creation efficiency of NV center

春山 盛善; 小野田 忍; 立見 和雅*; 寺地 徳之*; 磯谷 順一*; 加田 渉*; 大島 武; 花泉 修*

Haruyama, Moriyoshi; Onoda, Shinobu; Tatsumi, Kazumasa*; Teraji, Tokuyuki*; Isoya, Junichi*; Kada, Wataru*; Oshima, Takeshi; Hanaizumi, Osamu*

ダイヤモンド中のNV(窒素・空孔)センターの高効率発光という特徴を利用してイオン飛跡検出器の開発を進めている。本研究では、熱処理を最適化することによってイオン飛跡の検出効率を向上する試みを行った。熱処理温度を800$$^{circ}$$Cから1200$$^{circ}$$Cとして2時間の熱処理を行った。イオン飛跡の検出効率がどのように変化するかを調べた結果、800$$^{circ}$$Cの場合、1000$$^{circ}$$Cの時よりも感度が低いことが分かった。1200$$^{circ}$$Cの場合も同様に、飛跡を構成するNVセンターの数が減少し、イオン飛跡検出感度が下がることが判明し、最適な熱処理温度が1000$$^{circ}$$C付近にあると結論できた。

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