Low temperature formation of Si(110)-162 through wet etching

ウェットエッチングによる低温でのSi(110)-162形成

Yano, Masahiro; Suzuki, Shota; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito

We have observed roughness and cleanness of Si(110) cleaned by two types of wet etching and low temperature annealing by means of low energy electron diffraction (LEED), scanning tunneling microscope (STM) and auger electron spectroscopy (AES). We have succeeded to obtain clean and large 16 2 surface by wet etching and low temperature annealing.

使用言語	:	English
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発表会議名	:	18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
開催年月	:	2016/08
開催都市	:	Nagoya
開催国	:	Japan
キーワード	:	Si(110); STM; Nanostructures

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登録番号 : BB20160194
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