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耐放射線性カメラ用撮像素子の$$gamma$$線照射効果

Gamma irradiation effects of image sensor for radiation-resistant camera

武内 伴照; 大塚 紀彰; 土谷 邦彦; 田中 茂雄*; 小沢 治*; 駒野目 裕久*; 渡辺 恭志*; 上野 俊二*

Takeuchi, Tomoaki; Otsuka, Noriaki; Tsuchiya, Kunihiko; Tanaka, Shigeo*; Ozawa, Osamu*; Komanome, Hirohisa*; Watanabe, Takashi*; Ueno, Shunji*

東京電力福島第一原子力発電所事故の経験や教訓を踏まえ、プラント状態の情報把握能力の向上のため、耐放射線性カメラの開発に取り組んだ。放射線環境下におけるカメラ画像劣化の主因である撮像素子内の暗電流を抑制するため、撮像素子のトランジスタ及び光電変換部について3Tr型でフィールドプレートを有する素子(3TPD)、同型でフォトゲートを有する素子(3TPG)及び4Tr型でフォトゲートを有する素子(4TPG)を設計・試作し、$$gamma$$線照射中の暗電流と照射後の光電変換感度を測定した。その結果、3TPG型が最も耐放射線性が高く、200kGy照射後も十分なダイナミックレンジが維持された。

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