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熱酸化GaN表面の酸化物形成過程の評価

Investigation of oxide formation process in thermally oxidized GaN surface

山田 高寛*; 吉越 章隆; 伊藤 丈予*; 淺原 亮平*; 野崎 幹人*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 上田 哲三*; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

Yamada, Takahiro*; Yoshigoe, Akitaka; Ito, Joyo*; Asahara, Ryohei*; Nozaki, Mikito*; Nakazawa, Satoshi*; Ishida, Masahiro*; Ueda, Tetsuzo*; Hosoi, Takuji*; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

高性能GaN MOSデバイスの実現には、高品質な絶縁膜/GaN界面の形成が不可欠である。自然酸化膜の存在やプロセス中の界面層の成長などを考慮するとGaN表面の酸化の制御は重要である。本研究では、熱酸化したGaN表面の酸化物形成過程について評価した。

To achieve high performance of GaN MOS devices, high quality interfaces between insulator and GaN are essentially needed. The precise control of native surface oxide and/or interfacial oxide layer is important. In this study, oxide formation process in thermally oxidized GaN surface is analyzed by using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy.

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