Si(110)表面加熱時の162シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響

The effects of Si(110) surface heating on fabricating 162 single and double domain structure

鈴木 翔太; 矢野 雅大   ; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人  ; 山口 憲司*

Suzuki, Shota; Yano, Masahiro; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito; Yamaguchi, Kenji*

Si(110)表面は、162ダブルドメイン構造と呼ばれる再構成構造を形成する。近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)によりSi(110)162ダブルドメイン構造を単一方向に制御したSi(110)162シングルドメイン構造の作製が報告されたが、その詳細な形成機構は未解明である。本研究では通電加熱によるSi(110)162ダブルドメイン構造の作製と加熱による熱歪みの導入を実施し、LEED(低速電子線回折)による表面構造の観察から、Si(110)162シングルドメイン構造、およびダブルドメイン構造の形成条件と表面の歪みとの関係について調べた。その結果、Si(110)表面に一定量の熱歪みを導入することで、表面の最安定構造がダブルドメイン構造からシングルドメイン構造に変化することを見出した。

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