低温酸化層脱離によるSi(110)-162構造の作製

Fabrication of Si(110)-162 surface by low temperature desorption of oxide layer

鈴木 翔太; 矢野 雅大   ; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人  ; 山口 憲司*

Suzuki, Shota; Yano, Masahiro; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito; Yamaguchi, Kenji*

Si(110)表面162再構成構造の形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の基板たわみ測定には、表面の広範囲で清浄、かつ表面ステップ構造が制御された理想表面が必要である。本研究では、Si(110)基板の表面化学処理により作製した水素終端層、及び酸化層の低温での通電加熱脱離により清浄表面を作製し、広範囲のSi(110) -162構造形成に最適な手法について検討した。LEED像の回折点の輝度を比較した結果、表面化学処理、及び脱離温度プロファイルの差より、酸化層脱離表面は水素終端層脱離表面よりも広範囲で162構造を形成していることが確認され、広範囲での162構造形成には酸化層の作製と加熱脱離のプロセスが最適であることが分かった。

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