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全反射高速陽電子回折法によるSiC上のLiインターカレーション2層グラフェンの構造解析

Structural analysis of Li-intercalated bilayer graphene on SiC studied by total-reflection high-energy positron diffraction

遠藤 由大*; 望月 出海*; 深谷 有喜; 高山 あかり*; 兵頭 俊夫*; 長谷川 修司*

Endo, Yukihiro*; Mochizuki, Izumi*; Fukaya, Yuki; Takayama, Akari*; Hyodo, Toshio*; Hasegawa, Shuji*

近年、新規超伝導発現の舞台として、半導体・絶縁体基板上の単$$sim$$数原子層物質に注目が集まっている。これまでに本研究グループでは、2層グラフェンの層間にCa原子をインターカレートしたC$$_{6}$$CaC$$_{6}$$において、電気伝導測定から超伝導転移を観測している。このようなグラフェン層間化合物では、インターカレーションによる特異な構造変化が報告されているが、原子配置の詳細はまだ明らかになっていない。本研究では、最表面近傍の詳細な構造解析が可能な全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、Liインターカレート前後のSiC(0001)表面上の2層グラフェンの構造変化を調べた。講演では、様々な構造モデルを仮定したロッキング曲線の計算と測定結果の比較から、最適な構造モデルを議論する。

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