Si(110)上酸化膜の脱離過程の実時間計測

Real-time measurement of oxide film desorption from Si(110)

Yano, Masahiro; Suzuki, Shota; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito

Si(110)上から酸化膜が脱離する過程の構造および電子状態を走査型トンネル顕微鏡(STM)とX線光電子分光(XPS)でそれぞれ計測した。この結果から、Si(110)から酸化膜が脱離する過程で形成されるナノ構造の形成メカニズムが明らかになり、ナノ構造体作成への知見が得られた。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2017年(平成28年)第64回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2017/03
開催都市	:	横浜
開催国	:	日本
キーワード	:	ナノ構造

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登録番号 : BB20162013
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