Pressure studies on the antiferromagnetic Kondo semiconductor Ce(RuRh)Al (x = 0,0.1)

反強磁性近藤半導体Ce(RuRh)Al (x = 0,0.1)の圧力効果

谷田 博司*; 北川 健太郎*; 立岩 尚之   ; 世良 正文*; 西岡 孝*

Tanida, Hiroshi*; Kitagawa, Kentaro*; Tateiwa, Naoyuki; Sera, Masafumi*; Nishioka, Takashi*

近藤半導体Ce(RuRh)Al(x=0 and 0.1)の圧力誘起型反強磁性-常磁性転移についての実験研究を行った。高圧下電気抵抗測定の結果、異常な反強磁性状態の形成に関して、-混成は必要条件ではないことが明らかにされた。さらに高圧下磁化測定も行われた。磁気的特性に関する圧力効果と、x=0とx=1の電子状態の違いが議論された。

We have done high pressure experiments on Ce(RuRh)Al (x = 0 and 0.1) to study pressure-induced phase transitions from the antiferromagnetic to paramagnetic state at . Experimental data of the electrical resistivity suggest that the - hybridization gap could be not necessary to form the unusual AFM order. The pressure effects on the magnetic susceptibility is also studied. We discuss a difference in the pressure response of the magnetic susceptibility based the electronic state between x = 0 and 0.1.