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の
S-NMRS-NMR study for a narrow-gap semiconductor -US酒井 宏典 
; 比嘉 野乃花; 服部 泰佑; 徳永 陽 ; 神戸 振作 ; 立岩 尚之 ; 芳賀 芳範 ; Rossa, P. F. S.*; Thompson, J. D.*; Ronning, F.*; Bauer, E. D.*; Krishna, S. K. R.*; Reyes, A. P.*
Sakai, Hironori; Higa, Nonoka; Hattori, Taisuke; Tokunaga, Yo; Kambe, Shinsaku; Tateiwa, Naoyuki; Haga, Yoshinori; Rossa, P. F. S.*; Thompson, J. D.*; Ronning, F.*; Bauer, E. D.*; Krishna, S. K. R.*; Reyes, A. P.*
-USはナローギャップ半導体として知られており、異方的な巨大磁気抵抗を示す。本系の微視的な磁気情報を得るため、S核NMRを行った。当日は、最近得られてきた実験結果について示して、本系の磁気特性等について議論したい。
-US is known as a narrow-gap semiconductor. The magnetoresistance in this compound is extremely large but anisotropic. To obtain microscopic view of the magnetism, we have carried on S-NMR study. We will discuss the magnetic properties in this system to show the recent NMR results.
使用言語 |
: | Japanese |
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開催年月 |
: | 2018/09 |
開催都市 |
: | 京田辺 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
: | National High Magnetic Field Laboratory; Los Alamos National Laboratory |
Access |
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Altmetrics |
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