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Structure analysis of the defects generated by a thermal spike in single crystal CeO$$_{2}$$; A Molecular dynamics study

単結晶CeO$$_{2}$$における熱スパイクによって生成される欠陥の構造解析; 分子動力学研究

篠嶋 妥*; 安島 直紀*; 神長 龍一*; 石川 法人   ; 岩瀬 彰宏*

Sasajima, Yasushi*; Ajima, Naoki*; Kaminaga, Ryuichi*; Ishikawa, Norito; Iwase, Akihiro*

高速重イオン照射した単結晶CeO$$_{2}$$において生成される欠陥の生成挙動について、分子動力学計算シミュレーションを利用して計算し、欠陥の構造解析を行った。計算の結果と透過型電子顕微鏡による観察結果と比較することによって、計算結果の妥当性を検証した。計算結果および実験との比較の結果、透過型電子顕微鏡で観察されていた酸素欠陥の空間分布を、計算シミュレーションの結果はよく再現できていることが分かった。さらに、照射によって生成される酸素欠陥の数は、熱スパイクの直後に急激に増加し、3ピコ秒以内にその数が減少するというプロセスをたどることが示唆された。

In the present paper, we have extensively analyzed the atomic structures generated by supplying a thermal spike to the single crystal CeO$$_{2}$$. Our analysis results were compared with the atomic structures obtained by the microscope experiments. Our simulation reproduced the distribution of the numbers of oxygen atoms obtained from the analysis of microscope images. We found that the number of vacancies was increased abruptly immediately after the thermal spike, and the number subsequently dropped through a relaxation process within 3 ps.

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