C制御材の照射後組織評価C absorber material for fast reactor after irradiation静川 裕太 
; 関尾 佳弘 
; 井上 利彦 ; 前田 宏治 ; 吉田 克己*
Shizukawa, Yuta; Sekio, Yoshihiro; Inoue, Toshihiko; Maeda, Koji; Yoshida, Katsumi*
高次構造セラミック制御材(新規制御材)の開発に資するため、「常陽」で照射したBC従来材について、核変換Heの蓄積挙動に着目した透過電子顕微鏡観察を実施した。その結果、Heバブルの粒内での均一形成及び粒界での蓄積が確認され、照射に伴うバブルの成長・凝集が制御材の膨張及びクラック発生をもたらす要因となっていることが示された。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2019/03 |
開催都市 |
: | 水戸 |
開催国 |
: | 日本 |
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