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Au上グラフェンの電子バンド構造と熱放射光強度の関係

Relation between thermal radiation intensity and band structure of graphene on Au

寺澤 知潮  ; 保田 諭  ; 林 直輝*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 朝岡 秀人 

Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi; Hayashi, Naoki*; Norimatsu, Wataru*; Ito, Takahiro*; Machida, Shinichi*; Asaoka, Hidehito

グラフェンは波長に依存せず2.3%と一定の光吸収率および放射率を示すが、デバイス応用においては波長選択性を持つことが望ましい。本研究では1.44nmの周期を持つHex-Au(001)構造上にグラフェンを作製し、その電子バンド構造と熱放射光を観察した。熱放射光の700-900nmにおける光学顕微観察からHex-Au(001)構造上のグラフェンの熱放射光強度が減少していることがわかった。この試料の角度分解光電子分光はグラフェンのバンド構造の変調を示した。

Graphene shows absorptivity and emissivity of 2.3% independent from the wavelength, however, the wavelength selectivity of the optical properties is required for device applications. Here we report the observation of the electronic band structure and thermal radiation of graphene grown on hex-Au(001) structure. The thermal radiation of graphene grown on hex-Au(001) was decreased in the optical microscopy which observed the light with the wavelength of 700-900 nm. The same sample showed the modified band structure observed by angle resolved photoemission spectroscopy. We will discuss the relation between the thermal radiation and band structure of graphene on Au substrates.

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