Si(110)-162再構成構造とSi(110)-11水素終端構造との表面ストレス対比

Surface stress contrast between reconstructed Si(110)-162 and hydrogen terminated Si(110)-11

Asaoka, Hidehito; Yano, Masahiro; Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi

表面に存在するストレスは、表面ポテンシャルのスタティクスや、成長原子の拡散・吸着のカイネティクスに影響を与え、再構成構造を含むナノ構造創製制御に深く関与する。特に異方的な表面ストレスの解明・制御は低次元ナノ構造創製の有力な手段となる。そこで一次元構造を有するSi(110)-1612再構成構造のストレスを、Si(110)111バルク構造と対比し計測した。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	日本物理学会第75回年次大会
開催年月	:	2020/03
開催都市	:	名古屋
開催国	:	日本
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