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Hex Au(001)基板上のグラフェンのエネルギーギャップの起源

Origin of energy gap of graphene grown on Hex Au(001) substrate

寺澤 知潮   ; 保田 諭   ; 松永 和也*; 林 直輝*; 田中 慎一郎*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 朝岡 秀人  

Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi; Matsunaga, Kazuya*; Hayashi, Naoki*; Tanaka, Shinichiro*; Norimatsu, Wataru*; Ito, Takahiro*; Machida, Shinichi*; Asaoka, Hidehito

擬一次元周期構造を持つHex-Au(001)基板上に形成したグラフェンは$$pi$$バンドにエネルギーギャップを持つ。これまではHex-Au(001)基板の周期ポテンシャルによると考えられていた。本研究では、詳細な角度分解光電子分光の結果、Hex-Au(001)基板のspバンドとグラフェンの$$pi$$バンドの軌道混成しエネルギーギャップを形成することが確認されたため報告する。

Graphene grown on Hex-Au(001) substrate shows an energy gap in its $$pi$$-band. Previous reports speculated that the periodic potential of Hex-Au(001) resulted in the energy gap formation in the $$pi$$-band of graphene. In the present study, we found by angle-resolved photoemission spectroscopy that the hybridyzation of sp-band of Hex-Au(001) and $$pi$$-band of graphene created the energy gap in the $$pi$$-band of graphene.

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