Characterizing SRAM and FF soft error rates with measurement and simulation

測定とシミュレーションによるSRAMとFFのソフトエラー発生率の特性評価

橋本 昌宜*; 小林 和淑*; 古田 潤*; 安部 晋一郎   ; 渡辺 幸信*

Hashimoto, Masanori*; Kobayashi, Kazutoshi*; Furuta, Jun*; Abe, Shinichiro; Watanabe, Yukinobu*

宇宙線起因ソフトエラーは、信頼性が要求されるアプリケーションで深刻な問題となっている。デバイスの小型化・省電力化により、SRAMやフリップフロップ(FF: Flip-Flop)の放射線耐性が低下するため、より多くの製品でソフトエラー対策が要求されるようになると予想される。本論文では、地上環境下におけるSRAMとFFのソフトエラー率について、測定実験やシミュレーションによる研究成果を交えて議論するとともに特徴を述べる。

Soft error originating from cosmic ray is a serious concern for reliability demanding applications. Device miniaturization and lower voltage operation degrade the immunity of SRAM and flip-flops, and then soft error countermeasures will be demanded in more and more products. This paper characterizes and discusses soft error rates of SRAM and flip-flops in the terrestrial environment with the results of investigation for soft error phenomena by measurements and simulations.