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A Three-step process for epitaxial growth of (111)-oriented C$$_{60}$$ films on alkali-halide substrates

アルカリ・ハライド基板上にC$$_{60}$$薄膜をエピタキシャル成長させるための3段階のプロセス

Dai, Z.*; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 山本 春也; 宮下 敦巳

Dai, Z.*; Naramoto, Hiroshi; Narumi, Kazumasa; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi

熱蒸発法を用いて、C$$_{60}$$薄膜がアルカリ・ハライド基板(KCl(100), KBr(100), NaCl(100))上に成長する条件を調べた研究の報告である。その結果、結晶性に優れた(111)エピタキシャル薄膜を作製するためには、下記の3段階のプロセスを経ることが重要であるとの結論に達した。第1の過程: へき開したアルカリ・ハライド基板の熱処理(500$$^{circ}$$C, 1$$sim$$2hrs, $$sim$$10$$^{-5}$$Pa)。第2の過程: 極端に低い蒸着速度で、数モノレーヤーの超薄膜層を形成。第3の過程: 高い蒸着速度で所定の厚さまで蒸着(1$$sim$$35$AA$^{-1}$$/min., 400$$sim$$550$$^{circ}$$C)。

no abstracts in English

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パーセンタイル:16.19

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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