molecular beams分子線により酸化されたSi(001)表面の光電子分光Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka
シリコンの表面酸化は電子デバイスの製造に重要であるばかりでなく表面反応分析の対象としても興味深い。これまでに第一原理計算によってSi(001)面のO分子による解離吸着過程には0.8eVと2.4eVに2つの運動エネルギー障壁が存在することが予言されている。われわれはOのSi(001)面への化学吸着に対する運動エネルギー効果を実験的に研究するためにSPring-8のBL23SUに表面反応分析装置を建設した。Mg-K
線を用いた0-1sの光電子強度が運動エネルギーに依存して増加し、1.0eVと2.6eVに2つのしきい値を見いだした。さらにSi-2pの光電子分光を放射光を用いて行い、サブオキサイドのサテライトピークが運動エネルギーに依存して変化する現象を見いだした。0.6eVではSi
が主であるのに対して2.0eVと2.9eVではSi
が主となる。これは1.0eV程度のしきい値を越えた解離吸着が最表面二量体のバックボンドで起こるためと解釈された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.321 - 322 |
発行年月 |
: | 2000/00 |
発表会議名 |
: | 25th International Conference on the Physics of Semiconductors |
開催年月 |
: | 2000/09 |
開催都市 |
: | Osaka |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | Si(001); 酸化; 運動エネルギー; 酸素分子; 0-1s; Si-2p; 光電子分光; 解離吸着; サブオキサイド |
論文URL |
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論文解説記事 |
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