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Initial oxidation states on Si(001) surface induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ at room temperature studied by Si-2p core-level spectroscopy using synchrotron radiation

室温におけるSi(001)表面上への酸素化学吸着の初期状態へ及ぼすO$$_{2}$$運動エネルギーの効果

吉越 章隆; 寺岡 有殿

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

シリコン表面上への酸素吸着メカニズムに関する研究は、表面基礎科学としての興味ばかりでなく、半導体デバイス作製技術として多く行われてきた。理論計算の示すところでは、化学吸着過程におけるポテンシャルエネルギー障壁は、1.0eVe以上と言われている。しかし、分子線を用いたこのエネルギー領域におけるSi(001)表面上の酸素化学吸着のダイナミクスの研究は、ほとんど行われていない。並進運動エネルギーが3.0eV以下の領域で、酸素吸着に関するエネルギー障壁を実験的に明らかにした。すべての実験は、SPring-8に設置された表面反応分析装置で行われた。並進運動エネルギーが、1.0eVと2.6eVに化学吸着の閾値が見いだされた。この閾値前後の並進運動エネルギーで酸化された表面を放射光光電子分光で調べたところ、それぞれ異なる化学吸着状態をとることを明らかにした。

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