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Influence of incident O$$_{2}$$ translational energy to initial oxidation of Si(001) surface

Si(001)表面の初期酸化に対する入射O$$_{2}$$分子の並進エネルギーの影響

寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 佐野 睦*

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Sano, Mutsumi*

原研軟X線ビームラインBL23SUに設置した表面反応分析装置を用いてSi(001)表面のO$$_{2}$$分子による酸化の初期過程を研究している。特にO$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーがSi表面の酸化状態に与える影響を調べるために、O$$_{2}$$分子の場合に3eVまでの運動エネルギーを与えることができる超音速分子線技術を用いて実験を行った。その結果、Si(001)表面に解離吸着するO$$_{2}$$分子の飽和吸着量が運動エネルギーに依存して増加すること、2つのしきい値が存在することを見いだした。また、表面温度が高い場合にはSiO分子が熱脱離するが、その脱離速度にもO$$_{2}$$分子の運動エネルギーが効果的であることを見いだした。これらの結果をまとめて年報として報告する。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Atomic Collision Research in Japan, No. 26

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.114 - 116

発行年月

 :

2000/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si(001); O$$_{2}$$; 並進運動エネルギー; 酸化; 解離吸着; SiO

特許データ

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PDF

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論文URL

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広報プレスリリース

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