標準の316ステンレス鋼に雰囲気温度で3.0MeVのHeイオンを9
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まで照射し、深さ方向の損傷組織が観察できる透過電子顕微鏡用試験片を造り、1MeVの電子線を32dpaまで照射し、Heが分布する深さの範囲の組織変化をその場観察した。Heを照射したままの試料で観察された欠陥集合体の深さ方向の数密度分布は、集合体がHe原子の分布に依存して形成されたことを示し、823Kで32dpaまで電子線照射しても、キャビティの形成は認められなかった。すなわち、~0.1at.%の高濃度で予注入されたHe原子は、照射で造られた空格子点と複合体を形成し、これらの高密度で形成された複合体が照射で造られた点欠陥の消滅場所となり、キャビティの形成を抑えたことを示している。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proceedings of 2000 International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2000) |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.797 - 800 |
発行年月 |
: | 2000/00 |
発表会議名 |
: | 13th International Conference on Ion Implantation Technology |
開催年月 |
: | 2000/09 |
開催都市 |
: | Alpbach |
開催国 |
: | Austria |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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