Photoemission and molecular scattering study on initial oxidation of Si(001) surfaces induced by O $_{2}$ translational energy

O $_{2}$ 分子の並進エネルギーによって誘起されるSi(001)表面の初期酸化に関する光電子分光と分子散乱研究

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Sano, Mutsumi*

表面化学研究グループではSi(001)表面のO $_{2}$ 分子による酸化の初期課程を、おもに光電子分光法,質量分析法,超音速分子線法を用いて研究している。本研究ではSi(001)表面の酸化をO $_{2}$ 分子の並進エネルギーを制御することによって段階的に制御できることを初めて見いだした。また、酸素の飽和吸着量が並進エネルギーに依存するばかりでなく、表面のSiとOの化学結合状態も並進エネルギーに依存して大きく変化することを見いだした。さらにSiOの熱脱離を伴う高温での酸化においても並進エネルギーが2eV以上のときSiOの生成速度が700 $^{circ}C$ 以上で急激に増大する現象が見いだされた。他研究グループによる第一原理計算の結果を参照して、O $_{2}$ の並進エネルギーで誘起されるSi(001)表面の初期酸化のモデルを提出する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of the Symposium on Surface Science 2001
巻	:
号	:
ページ数	:	p.86 - 89
発行年月	:	2001/00
発表会議名	:	Symposium on Surface Science 2001
開催年月	:	2001/01
開催都市	:	Furano
開催国	:	Japan
キーワード	:	Si(001); O $_{2}$ ; 初期酸化; 光電子分光; 質量分析; 超音速分子線; 並進エネルギー; 分子線散乱

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登録番号 : B20001267
抄録集掲載番号 : 290599
論文投稿番号 : 18174

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Photoemission and molecular scattering study on initial oxidation of Si(001) surfaces induced by O translational energy

O分子の並進エネルギーによって誘起されるSi(001)表面の初期酸化に関する光電子分光と分子散乱研究

Photoemission and molecular scattering study on initial oxidation of Si(001) surfaces induced by O $_{2}$ translational energy

O $_{2}$ 分子の並進エネルギーによって誘起されるSi(001)表面の初期酸化に関する光電子分光と分子散乱研究