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Electronic structure and the Fermi surface of UC and UGe$$_{3}$$

UC及びUGe$$_{3}$$における電子構造とフェルミ面

眞榮平 孝裕; 樋口 雅彦*; 山本 悦嗣  ; 大貫 惇睦; 長谷川 彰*

Maehira, Takahiro; Higuchi, Masahiko*; Yamamoto, Etsuji; Onuki, Yoshichika; Hasegawa, Akira*

相対論的APW法を用いて、UCとUGe$$_{3}$$の電子構造とフェルミ面を計算し、dHvA効果の測定結果と比較し、dHvAブランチの起源を解明した。UCは、最近、山本・大貫らにより純良な単結晶育成に成功し、これまで観測されていなかったdHvAブランチの測定に成功した。バンド計算から得られたdHvA角度依存の結果は、実験結果を良く説明する。特に、ホール面に比べ電子面がサイクロトロン有効質量が大きいのは、電子面を形成しているのがUの5f成分が大部分であるということに起因する。このように、ホール面と電子面で、形成している電子成分が大きく異なる事例は、今回のUCが世界で初めての事例である。同様にUGe$$_{3}$$についても、dHvA角度依存を良く説明した。

no abstracts in English

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