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電子デバイス、その製造方法及びその使用方法

家田 淳一

竹内 祐太朗*; 深見 俊輔*; 山根 結太*; Yoon J.-Y.*; 陣内 佛霖*; 金井 駿*; 大野 英男*

【課題】 外部磁場が不要であり、比較的大きな読み出し信号の出力が可能な乱数生成素子、メモリ素子として使用することが可能であり、また、出力/入力周波数の可変性を備えた発振/検波素子としても使用することが可能である電子デバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】 本体と、入力端子と、出力端子と、を備え、前記本体は、基板上にスピントルク生成層とノンコリニア反強磁性層がこの順、または逆順の積層方向に積層されて構成されるものであり、前記入力端子は、前記スピントルク生成層の積層面と平行な任意の一方向の両端に配置され、前記ノンコリニア反強磁性層は、前記任意の一方向と前記積層方向が成す平面においてノンコリニアな磁気秩序を有することを特徴とする電子デバイス。

代表出願国

 :

日本

出願番号

 :

2021-071582

公開番号

 :

2022-166395

登録番号

 :

出願日

 :

2021/04/21

公開日

 :

2022/11/02

登録日

 :

PCT出願番号

 :

PCT登録番号

 :

EPC出願番号

 :

EPC登録番号

 :

IPC

 :

H01L 29/82 (2006.01):H01L 43/10 (2006.01):H01L 43/08 (2006.01):H01L 21/8239(2006.01:H01F 10/12 (2006.01)

関連特許

 :

関連文献

 :

H. Tsai et al., “Electrical manipulation of a topological antiferromagnetic state," Nature, vol. 580, pp. 608-613 (2020).S. Nakatsuji et al., “Large anomalous Hall effect in a non-collinear antiferromagnet at room temperature," Nature, vol. 527, pp. 212-215 (2015).※その他、明細書(案)に記載。

公開特許公報

 :

P52760A.pdf

特許公報

 :

開放特許情報
データベース

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

Access

From 2021.3.1

 :

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