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論文

Analysis of bonding structure of ultrathin films of oligothiophene molecules grown on passivated silicon surfaces

豊島 弘明*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 小澤 健一*; 間瀬 一彦*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治

Photon Factory Activity Report 2011, Part B, P. 102, 2012/00

有機分子と半導体表面との界面状態はこれまで構築されてきた無機半導体技術に有機半導体を融合していくうえで重要となる。本研究ではさまざまな分子で前処理を行ったシリコン(Si)基板表面上における$$alpha$$-チオフェンオリゴマー6量体($$alpha$$-6T)の薄膜形成過程をPES、角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、及びSDRS, RDS法により調べた。水分子を先に単分子吸着させたSi表面上に$$alpha$$-6T分子を吸着させた場合は、角度分解NEXAFS法により$$alpha$$-6T分子は基板表面上で分子主軸を直立させて配向することがわかった。また、垂直配向度は吸着厚みに依存した。0.6nmに比べ3nm以上の多分子層において配向性はより顕著であった。さらに、$$alpha$$-6T分子の配向性は前処理した分子の種類に依存した。エチレンを曝したSi表面上において、$$alpha$$-6T分子の配向はそれほど顕著でないことが見いだされた。前処理により分子配向を制御できる可能性を示す結果である。

報告書

Evaluations of heavy nuclide data for JENDL-3.3

河野 俊彦*; 松延 廣幸*; 村田 徹*; 瑞慶覧 篤*; 中島 豊*; 川合 將義*; 岩本 修; 柴田 恵一; 中川 庸雄; 大澤 孝明*; et al.

JAERI-Research 2003-026, 53 Pages, 2003/12

JAERI-Research-2003-026.pdf:2.48MB

原子力技術開発において重要なウラン,プルトニウム,トリウムの同位体に対する中性子核データの新たな評価を行った。この評価値は日本の評価核データライブラリであるJENDL-3.3の一部となる。この評価の主たる目的は、前ヴァージョンに対して報告されていた幾つかの問題点の解決,データの精度向上,主要核種に対する共分散の評価、である。JENDL-3.2に格納されている種々の核データを検討し、その多くについて再評価を行うか、もしくはより信頼できる数値に置き直した。JENDL-3.3の重核データに対して種々のベンチマークテストが行われ、臨界性予測精度は以前のJENDLよりも向上していることが報告された。

論文

Japanese evaluated nuclear data library version 3 revision-3; JENDL-3.3

柴田 恵一; 河野 俊彦*; 中川 庸雄; 岩本 修; 片倉 純一; 深堀 智生; 千葉 敏; 長谷川 明; 村田 徹*; 松延 廣幸*; et al.

Journal of Nuclear Science and Technology, 39(11), p.1125 - 1136, 2002/11

https://doi.org/10.3327/jnst.39.1125
 被引用回数：676 パーセンタイル：93.94(Nuclear Science & Technology)

前版JENDL-3.2のフィードバック情報及び各種ベンチマークテストの結果をもとに、新版JENDL-3.3のための評価が行われた。JENDL-3.2での大きな問題点は新版により解決された。即ち、熱中性子炉体系での臨界性過大評価は$$^{235}$$Uの核分裂断面積及び核分裂中性子スペクトルの改訂により解消された。また、重要な重核での不適切な2次中性子エネルギー分布は統計模型計算に置き換えられた。さらに、中重核での天然元素及び同位体評価値間の矛盾も無くなった。一方、20核種について共分散データを収納した。JENDL-3.3の信頼度は原子炉及び遮蔽に関するベンチマークテストにより検証された。ベンチマークテストの結果は、JENDL-3.3の予測精度がJENDL-3.2を上回ることを証明した。

論文

Simultaneous evaluation of fission cross sections of uranium and plutonium isotopes for JENDL-3.3

河野 俊彦*; 松延 廣幸*; 村田 徹*; 瑞慶覧 篤*; 中島 豊*; 川合 將義*; 岩本 修; 柴田 恵一; 中川 庸雄; 大澤 孝明*; et al.

Journal of Nuclear Science and Technology, 37(4), p.327 - 334, 2000/04

https://doi.org/10.3327/jnst.37.327

評価済み中性子核データライブラリーの最新版JENDL-3.3のためにU-233、U-235,U-238,Pu-239,Pu-240及びPu-241の核分裂断面積を同時に評価した。核データ評価では、それぞれの反応の絶対測定及びU-235対Pu-239のような相対測定が考慮された。本評価のために計算コードSOKを開発し、共分散評価システムKALMANに組み込んだ。実験データの誤差は関係する論文あるいはレポートから推定した。最終結果は、既存のJENDL-3.2及びENDF/B-VIの評価値と比較される。また、共分散ファイルの作成に必要な、評価値の誤差についても議論される。

報告書

Evaluation of fission cross sections and covariances for $$^{233}$$U,$$^{235}$$U,$$^{238}$$U,$$^{239}$$Pu,$$^{240}$$Pu,and $$^{241}$$Pu

河野 俊彦*; 松延 廣幸*; 村田 徹*; 瑞慶覧 篤*; 中島 豊*; 川合 將義*; 岩本 修; 柴田 恵一; 中川 庸雄; 大澤 孝明*; et al.

JAERI-Research 2000-004, p.76 - 0, 2000/02

JAERI-Research-2000-004.pdf:2.39MB

評価済核データライブラリーJENDL-3.3作成のために、アクチニド核種の核分裂断面積を決定する計算コードSOKを開発した。このコードでは各反応の絶対測定及び相対測定(例えば、Pu-239の核分裂断面積とU-235の核分裂断面積の比)が考慮でき、それらすべてのデータに対する最小自乗フィットにより断面積を求めることができる。今回求めたのはU-233,U-235,U-238,Pu-239,Pu-240及びPu-241の核分裂断面積及びその共分散(誤差)である。本報告書では、評価の手法及び実験値のデータベースについて述べるとともに、得られた結果を評価済データJENDL-3.2及びENDF/B-VIと比較し検討する。

論文

Nal(Tl)検出器による$$gamma$$線スペクトロメトリーに見られた消滅$$gamma$$線エスケープ・ピークのシフト

関根 俊明; 馬場 豊*

日本原子力学会誌, 13(8), p.453 - 455, 1971/00

https://doi.org/10.3327/jaesj.13.453

$$gamma$$線スペクトロメトリーにおいて,1.02MeV以上のエネルギーの$$gamma$$線は,電子対生成に伴う消滅$$gamma$$線の脱出によるエスケープ・ピークが観測され,$$gamma$$線エネルギーをEr,電子の静止エネルギーをmc$$^2$$(=0.511MeV)と表わすと,そのエネルギーはシングルエスケープEr-mc$$^2$$(1),ダブルエスケープEr―2mc$$^2$$(2)で与えられることはよく知られており,これらのピークの現われる位置は(1),(2)式のエネルギー値に対応するものと考えられ,特に注意を払われることはなかったようである。

口頭

表面修飾Si(001)表面上の$$alpha$$-sexithiophene超薄膜の構造

平賀 健太*; 豊島 弘明*; 大野 真也*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治; 向井 孝三*; 吉信 淳*; 田中 正俊*

no journal, , 

有機半導体分子と半導体基板表面との界面構造の特性を自在に制御する技術の確立は有機トランジスタや太陽電池の作製・実用化において重要である。本研究ではさまざまな膜厚(0.25から1.0nm)の$$alpha$$-sexithiophene($$alpha$$-6T)超薄膜を形成し、表面反射分光(RDS, SDRS)、S 1sの角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、UPSを測定した。RDS, SDRS、及びNEXAFSからは分子の配向について、一方でUPSからは配向の完全性に関する情報が得られた。表面修飾の方法や膜厚に依存した分子配向や凝集構造の相違について報告する。

口頭

Structure of $$alpha$$-sexithiophene thin films grown on semiconductor surface studied by near-edge X-ray absorption fine structure

平賀 健太*; 豊島 弘明*; 中島 淳貴*; 田中 博也*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 関口 哲弘; 平尾 法恵; 下山 巖; 馬場 祐治

no journal, , 

半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO$$_{2}$$/Si(001), H$$_{2}$$O/Si(001), C$$_{2}$$H$$_{4}$$/Si(001), WSe$$_{2}$$, GaSeなど様々な半導体表面上に$$alpha$$-6チオフェン($$alpha$$-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより$$alpha$$-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、$$alpha$$-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、$$alpha$$-6T/SiO$$_{2}$$/Si(001)では分子は立って配向する。

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