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長谷川 美佳*; 菅原 健太*; 須藤 亮太*; 三本菅 正太*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; Filimonov, S.*; 吹留 博一*; 末光 眞希*
Nanoscale Research Letters, 10, p.421_1 - 421_6, 2015/10
被引用回数：14 パーセンタイル：52.11(Nanoscience & Nanotechnology)グラフェンは、電子および光デバイスの有望な材料として注目されている。しかしながら、Si上のグラフェン(GOS)の形成には1473K以上の温度が必要となるため、Siテクノロジーとの相性は良いとは言えない。ここでは、Ni援用GOSのグラフェン形成に関して報告する。グラフェン形成温度が200K以上低下することを示し、加熱、アニール、冷却プロセス中の固相反応を放射光XPSで詳細に調べた。Ni/SiC反応の役割、Niシリサイド形成ばかりでなく炭化Ni形成がグラフェン形成に重要なプロセスであることを明にした。
朝岡 秀人; 山崎 竜也*; 山口 憲司; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
Surface Science, 609, p.157 - 160, 2013/03
被引用回数：1 パーセンタイル：4.96(Chemistry, Physical)Biサーファクタントを利用したGe/Si(111)ヘテロ成長過程において、レーザーによる基板のたわみを実測したストレス遷移と、電子線を利用したRHEEDの同時測定を行った。その結果、Bi終端構造と比較したSi再構成構造に内在する表面ストレス,層状成長過程で、原子層1層ごとに圧縮,緩和を繰り返すストレス遷移を捉えることに成功した。
朝岡 秀人; 山崎 竜也; Filimonov, S.*; 社本 真一
Proceedings of 14th International Conference on Thin Films (ICTF-14) & Reactive Sputter Deposition 2008 (RSD 2008), p.179 - 182, 2008/11
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、成長モードがナノドット成長から、層状成長に変わる。このような成長形態の変化は、サーファクタントが媒介した表面エネルギーと歪みエネルギーとのトレードオフにより決定される。成長過程のその場測定により、サーファクタントとして用いたBi1原子層のストレスを実測するとともに、Biを最表面に保ちながら層状成長を可能とするGe成長過程におけるストレスのリラクゼーション機構を明らかにした。
Filimonov, S. N.*; Cherepanov, V.*; Paul, N.*; 朝岡 秀人; Brona, J.*; Voigtl
nder, B.*
Surface Science, 599(1-3), p.76 - 84, 2005/12
被引用回数：16 パーセンタイル：55.73(Chemistry, Physical)サーファクタント(界面活性剤)としてのBiの有無によるGe/Si(111)界面に生じる転位のネットワークについてシミュレーションとSTM観察を用いて評価を行った。その結果、サーファクタントを用いた成長では転位が三角格子ネットワークであるのに対して、用いていない成長ではハニカム格子ネットワークを有することがわかった。また欠陥密度はサーファクタントを用いていない成長の方が少なくGe/Siのミキシングによる緩和が原因と考えられる。
朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
no journal, ,
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、成長モードが0次元のナノドット成長から、2次元の層状成長に変わる。このような成長形態の変化は、サーファクタントが媒介した表面エネルギーと歪みエネルギーとのトレードオフにより決定される。成長過程のその場測定により、表面構造や成長過程のストレスの遷移を観測し、その成長機構を議論する。
朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
no journal, ,
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、0次元のナノドット成長から、2次元の層状成長モードに変わる。表面構造や成長過程のストレスの遷移をその場観測し、層状成長を可能とするストレス緩和機構を明らかにした。
朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
no journal, ,
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が4%異なるGeが成長する場合、層状成長+島状成長から、層状成長に変わる。このような成長形態の変化は、サーファクタントが媒介した表面エネルギーと歪みエネルギーとのトレードオフにより決定される。このため表面のナノ構造を制御するためには、表面再構成構造を含むサーファクタントで覆われた最表面の形態とともに、原子層オーダーのストレス遷移の理解が重要となる。われわれはBiサーファクタントを利用したGe/Si(111)ヘテロ成長過程において、レーザーによる基板のたわみを実測したストレス遷移と、電子線を用いたRHEEDの同時観測、さらには同成長条件下の表面構造をSTMにより観測した。その結果、平坦面を保持しながら層状成長を可能とする、原子層レベルでのストレス緩和過程を見いだすことができた。
