JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　5 件中 1件目～5件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

発表言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Temperature dependence of electric conductivities in femtosecond laser modified areas in silicon carbide

出来 真斗*; 岡 知輝*; 高吉 翔大*; 直井 美貴*; 牧野 高紘; 大島 武; 富田 卓朗*

Materials Science Forum, 778-780, p.661 - 664, 2014/02

https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.661
 被引用回数：2 パーセンタイル：69.86(Crystallography)

炭化ケイ素(SiC)基板へフェムト秒レーザー照射を行うと、SiCの比抵抗が5桁程度低下することが知られている。本研究ではフェムト秒レーザーを照射したSiCの電気伝導機構に関する知見を得るため、フェムト秒レーザー照射部における抵抗値の温度依存性を測定し、照射部の活性化エネルギーを求めた。試料は半絶縁性SiCであり、基板上に1mmの間隔を設けて蒸着した2つのアルミニウム電極の間へフェムト秒レーザーを照射した。照射条件は、照射エネルギー密度21J/cm$$^{2}$$、レーザー走査速度100$$mu$$m/secとした。フェムト秒レーザー照射後、測定温度122$$sim$$473Kにおいて電極間の抵抗値の温度依存性を測定した。その結果、伝導体の下端からそれぞれ8.3および86meVにおいてエネルギー準位が存在することがわかった。以上のことより、照射エネルギー密度21J/cm$$^2$$の室温における抵抗値の低下は、8.3meVの活性化エネルギーを持つ順位に起因していると考えられる。

口頭

SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導度の温度依存性

岡 知輝*; 出来 真斗; 直井 美貴*; 牧野 高紘; 大島 武; 富田 卓朗*

no journal, , 

これまで、SiCに閾値フルエンスを超えたフェムト秒レーザー光(800nm)を照射すると、改質部の電気特性が室温において急激に減少することを明らかにしている。本研究ではSiCのフェムト秒レーザー照射部の抵抗値の温度依存性から、改質部の電気伝導メカニズム解明を試みた。SiC表面にフェムト秒レーザーをピークフルエンス3.18J/cm$$^{2}$$および7.97J/cm$$^{2}$$で照射後、80Kから470Kの温度範囲において抵抗値を測定した。その結果、低フルエンス(3.18J/cm$$^{2}$$)改質部抵抗値の温度依存性は1つの活性化エネルギー成分で表すことができ、活性化エネルギーE$$_{D1}$$=53.9meVが得られた。一方、高フルエンス改質(7.97J/cm$$^2$$)では2成分で表現でき、E$$_{D1}$$=51.4meV、E$$_{D2}$$=4.5meVが得られた。E$$_{D2}$$は低フルエンス改質($$sim$$6.7J/cm$$^{2}$$)では観測されないものであり、室温(300K)の熱エネルギー(26meV)よりも低い。したがって、この準位から活性化されたキャリアが抵抗値の減少に寄与しているものと考えられる。

口頭

長野県白馬村森上地区における神城断層の活動履歴調査

牧野 美月*; 安江 健一*; 廣内 大助*; 松多 信尚*; 藤田 奈津子; 道家 涼介*; 佐藤 義輝*; 水谷 光太郎*

no journal, , 

神城断層は、糸魚川-静岡構造線断層帯の北部区間に属しており、長野県小谷村南部から大町市の木崎湖南部にかけて南北に走る東傾斜の逆断層型の活断層である。本研究では、活断層の上下変位で隆起した段丘面上で実施したピット調査において、副次的な断層の変位を確認した。地層の観察と放射性炭素年代測定の結果から、活動時期について検討することができた。しかし、本ピットでは、幅が狭くて深さが浅いことから、複数の活動に伴う変位・変形を詳しく把握することができていない。本研究で確認した断層をまたぐようにトレンチ調査等を行い、活動について詳細に把握する必要がある。さらに、その成果を踏まえて、副次的な断層から主断層の活動について検討する必要がある。

口頭

SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導機構

柳田 栄造*; 近藤 健太*; 坂東 洋太*; 出来 真斗*; 牧野 高紘; 大島 武; 小野田 忍; 直井 美貴*; 富田 卓朗*

no journal, , 

これまでに、閾値エネルギー密度を超えるフェムト秒レーザーをSiC基板へ照射すると、室温において比抵抗が急激に低下することを明らかにしている。また、その比抵抗の温度依存性は不純物の活性化エネルギーED1, ED2の二成分で表すことができるモデルを示している。今回、不純物活性化エネルギーの照射レーザーエネルギー密度依存性を求めた。その結果、照射フルエンス5.8J/cm$$^2$$以下では、50meV程度のED1および150$$sim$$200meVのED2が得られた。一方、照射フルエンス8.7J/cm$$^2$$以上ではED2が消失し、新たに数meVのED2'が得られた。ED2'に起因する電気伝導度も照射フルエンスの増加に伴い増加する傾向を示しており、ED2'といった新たな不純物の増加がフェムト秒レーザー照射領域におけるキャリアを大きく増加させ、急激な比抵抗の低下に寄与していると結論できた。

口頭

Cu-63(n,p)Ni-63の反応断面積の測定,2; 照射試料のNi-63分析に係る測定前処理に関する検討

深井 惠*; 仲宗根 峻也*; 柚木 彰*; 山本 康太*; 槇野 好岐*; 島田 亜佐子; 吉居 大樹*; 澁谷 憲悟*; 酒井 宏隆*; 島田 太郎

no journal, , 

原子力発電所のクリアランスにおいて、ケーブル廃棄物中の$$^{63}$$Cuが放射化することにより生じる核種$$^{63}$$Niの放射能濃度は、放射化計算により評価されることが見込まれる。しかしながら、熱中性子領域における$$^{63}$$Cu(n,p)$$^{63}$$Ni反応の実験データがなく、核データライブラリ間で反応断面積に10倍程度の違いが生じることが指摘されている。このため、原子力規制庁では放射能濃度評価の適切性を確認する観点から、熱中性子を照射した銅試料中に生成した$$^{63}$$Niを分析することで反応断面積を評価する方法を研究している。本講演では、照射試料中の$$^{63}$$Niを液体シンチレーションカウンタ(LSC)又は質量分析計(ICP-MS)を用いて定量するにあたり必要となる試料溶液の調製(銅試料の測定前処理)について検討した結果を報告する。

5 件中 1件目～5件目を表示
  • 1