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駒形 栄一*; 河裾 厚男; 薮内 敦*; 前川 雅樹; Batchuluun, C.*; 安田 啓介*; 石神 龍哉*; 久米 恭*; 岩瀬 彰宏*; 堀 史説*
Physics Procedia, 35, p.75 - 79, 2012/00
被引用回数:2 パーセンタイル:62.54(Physics, Particles & Fields)鉄(48重量%)-アルミニウム合金に室温で水素イオンを310及び110/cm注入した試料を作成した。これらの合金に対し、低速陽電子ビームを用いて0.230.2keVのエネルギー範囲においてドップラー広がり測定と陽電子消滅寿命測定を行った。水素イオンの照射により、陽電子消滅Sパラメータが減少した。また陽電子消滅寿命も減少した。これらの結果は、打ち込まれた水素原子は空孔型欠陥に捕獲されていることを示している。
伊藤 慶文*; Batchuluun, C.*; 安田 啓介*; 石神 龍哉*; 遠藤 伸之*
平成18年度財団法人若狭湾エネルギー研究センター研究成果報告集,9, p.27 - 30, 2007/09
化学処理を伴うガスクロマトグラフィ・質量分析法(GC/MS法)を金属中に含まれるHe原子量計測のために適用した。He含有金属小片サンプルの作製には、200kVイオン注入装置を使用した。容積約36cc(又は約9cc)のH型反応管内の1気圧窒素雰囲気でHe含有Cu小片を0.5ccの20%硝酸水溶液に浸し溶解後、Heを含むガスを採取した。GC/MS装置でHeを分析した結果、金属に含まれるHe個数が10個から10個の範囲で、検出されたHe強度と注入したHe原子数の間には良い比例関係が示された。