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Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C. G.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄*; 大島 武; Janzn, E.*
Journal of Physics D; Applied Physics, 45(45), p.455301_1 - 455301_7, 2012/11
被引用回数:16 パーセンタイル:57.69(Physics, Applied)A bistable center, named FB center, in electron irradiated 4H-SiC was observed using capacitance transient techniques. In configuration called "", the deep level known as EH5 ( = - 1.07 eV) is detected in the deep level transient spectroscopy spectrum, whereas for configuration called "", no obvious deep level is observed in the accessible part of the band gap. Isochronal annealing revealed that the transition temperatures to be from to is more than 730K, and for the opposite process from to is about 710 K. The energy needed to conduct the transformations were determined to be ( to ) = (2.1 0.1) eV and ( to ) = (2.3 0.1) eV, respectively. Since the bistable FB centre is already present after low-energy electron irradiation (200 keV), it is likely related to carbon.
Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; Janzn, E.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄*; 大島 武
Journal of Applied Physics, 109(10), p.103703_1 - 103703_6, 2011/05
被引用回数:17 パーセンタイル:57.76(Physics, Applied)耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)の照射欠陥に関する知見を得るため、型六方晶(4H)SiCへ200keVの電子線を510/cm照射した。DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定の結果、Mセンターと呼ばれる欠陥が観測された。試料を熱処理することでMセンターの振舞いを調べたところ、Mセンターが消滅する過程で、新たにEBセンターと呼ばれる欠陥が発生することが判明した。EBセンターの増加の振る舞いがMセンターの減少と一致することから、EBセンターはMセンターが熱処理により構造を変化させて新たな欠陥構造になったと結論できた。さらに熱処理温度を上昇させると、700CでEBセンターも消滅することも判明した。使用した電子線のエネルギーがSiC中のシリコン(Si)のはじき出しのしきい値エネルギー以下であることから、今回観察されたMセンター,EBセンターともに炭素(C)が関連する欠陥中心であることが示唆された。
Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; Janzn, E.*
Materials Science Forum, 645-648, p.435 - 438, 2010/00
炭化ケイ素(SiC)半導体へ電子線を照射することで発生する欠陥に関して、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)を用いて調べた。n型六方晶(4H)SiCに200keV電子線を照射したところ、Z1/2, EH6/7, EH1及びEH3と呼ばれる欠陥が観測された。さらに、照射した試料へ650Kまでの熱処理をしたところ、EH1及びEH3が消失すると同時に、新たに、EBセンターと名付けられた欠陥群が発生することが観察された。200keV電子線がSiC中の炭素のみをはじき出すことを考慮すると、今回観察された欠陥は、すべて炭素起因であると言える。
Son, N. T.*; Hemmingsson, C. G.*; Paskova, T.*; Evans, K. R.*; 碓井 彰*; 森下 憲雄; 大島 武; 磯谷 順一*; Monemar, B.*; Janzn, E.*
Physical Review B, 80(15), p.153202_1 - 153202_4, 2009/10
被引用回数:38 パーセンタイル:79.43(Materials Science, Multidisciplinary)耐放射線性半導体デバイスとして応用が期待される窒化ガリウム(GaN)中に、電子線照射により発生する欠陥を電子スピン共鳴(ESR)により調べた。2MeV電子線を110/cm照射することで欠陥を導入したGaNに対し、77KでESR測定を行ったところ、D1からD4までの4種類の欠陥に起因するESRシグナルが観測された。このうちD2について、Nの超微細相互作用を詳細に調べたところ、Nサイトを置換した酸素とGa空孔のペア複合欠陥であり、その電荷状態がマイナスであることが判明した。