Metastable defects in low-energy electron irradiated n-type 4H-SiC

低エネルギー電子線照射したn型4H-SiC中の準安定欠陥

Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; Janzn, E.*

Beyer, F. C.*; Hemmingsson, C.*; Pedersen, H.*; Henry, A.*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Janzn, E.*

炭化ケイ素(SiC)半導体へ電子線を照射することで発生する欠陥に関して、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)を用いて調べた。n型六方晶(4H)SiCに200keV電子線を照射したところ、Z1/2, EH6/7, EH1及びEH3と呼ばれる欠陥が観測された。さらに、照射した試料へ650Kまでの熱処理をしたところ、EH1及びEH3が消失すると同時に、新たに、EBセンターと名付けられた欠陥群が発生することが観察された。200keV電子線がSiC中の炭素のみをはじき出すことを考慮すると、今回観察された欠陥は、すべて炭素起因であると言える。

By low-energy electron irradiation of epitaxial n-type 4H-SiC, the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) peaks called the defects Z1/2 and EH6/7 were observed, which were also observed in as-grown layer and the commonly found peaks EH1 and EH3 (M-center) also appeared. New defect named the EB-centers increased after annealing out of EH1 and EH3. Since low energy electron irradiation (less than 220 keV) affects mainly the carbon atom in SiC, both the M- and EB-centers might be carbon related defects.