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高橋 芳浩*; 大木 隆弘*; 長澤 賢治*; 中嶋 康人*; 川鍋 龍*; 大西 一功*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 三島 健太; 河野 勝康*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 260(1), p.309 - 313, 2007/07
被引用回数：4 パーセンタイル：35.7(Instruments & Instrumentation)Si基板上にAlゲートp-MOSFETを作製し、TIARAの重イオンマイクロビームシステムを使用して重イオン照射を行い、照射誘起過渡電流の測定を行った。その結果、ゲート端子における過渡電流は、照射中負のゲート電圧を印加した状態でのみ観測されることがわかった。また、ソース・ドレイン電極を接地(基板と同電位)してゲート領域に重イオンを照射した場合、ピーク値の異なる正・負の電流が観測され、その積分値は照射後100ns程度でほぼ0となることがわかった。本誘起電流が伝導電流によるものであれば、正方向の電流のみが観測されることが予想される。よって本測定結果より、酸化膜を介した照射誘起電流は、変位電流に由来すると帰結できる。また測定結果は、酸化膜を完全絶縁体と仮定した計算により再現できることが確認できた。
n diodes due to heavy ion irradiation平尾 敏雄; Laird, J. S.; 小野田 忍; 芝田 利彦*; 若狭 剛史; 山川 猛; 阿部 浩之; 高橋 芳浩*; 大西 一功*; 伊藤 久義
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.105 - 109, 2004/10
SOI半導体素子のシングルイベント耐性を検証するため、SOIの代わりに構造の単純なMOSキャパシタを用い、シングルイベント過渡電流波形の測定を実施した。得られた過渡電流波形を積分して求めた収集電荷量とシュミレーションを用いて計算した収集電荷量の比較から、過渡電流が変位電流に起因することを突き止めた。
岡本 芳浩; 赤堀 光雄; 伊藤 昭憲; 小川 徹
Journal of Nuclear Science and Technology, 39(Suppl.3), p.638 - 641, 2002/11
LiCl-KCl共晶塩中の、UCl
融体の局所構造について、U原子L吸収端XAFS測定によって調べた。XAFS測定は、高エネルギー加速器研究機構の放射光実験施設BL27Bで実施した。ウラン水素化物の塩化によって調製した、UCl
を亜鉛粉末で還元してUClを得た。カーブフィッティング解析の結果、最近接U
-Cl
相関に関する構造情報を得た。MD計算とXAFSシミュレーションコードFEFF8の併用から、最近接U-Cl相関の相互作用について評価した。また、いくつかのウランハロゲン化物のXANES測定を行い、そのシフトから原子価について評価した。
岡本 芳浩; 赤堀 光雄; 本橋 治彦*; 伊藤 昭憲; 小川 徹
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 487(3), p.605 - 611, 2002/07
被引用回数：27 パーセンタイル：83.19(Instruments & Instrumentation)希土類塩化物のような空気中で活性な溶融塩系の局所構造を調べるために、最高到達温度1000
の高温XAFS測定システムを開発した。砂時計型の石英セルの上部タンクに固体試料を減圧状態でセットし、電気炉で溶融させ、厚さ0.1mm(0.2mm)の融体パスを通過するところで、XAFS測定を実施した。石英の吸収のために、10keV以上のエネルギー領域に測定が限られたが、本測定システムで吸湿性の高い活性な溶融塩系のXAFS測定が可能であることを確認した。
-ray irradiation on the electrical characteristics of SiC metal-oxide-semiconductor structures吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 高橋 芳浩*; 大西 一功*; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Electronics and Communication in Japan., Part2, 81(10), p.37 - 47, 1998/00
宇宙環境や原子炉近傍で使用される半導体素子には、高温雰囲気での安定な動作ばかりでなく、強い耐放射線性が要求される。今回SiC半導体材料の中でも最も一般的な6H-SiCを用いて半導体素子の基礎構造であるMOS構造を作製し、その電気特性の吸収線量依存性を調べるとともに、その吸収線量依存性のメカニズムを酸化膜中固定電荷の深さ方向分布を用いて追求した。その結果シリコン面上のMOS構造のC-V特性の線照射による変化は、Si MOS構造のそれと類似しているが、カーボン面上のその変化は、大きく異なることがわかった。酸化膜中固定電荷の深さ方向分布を用いてこの結果を調べたところ、C-V特性の横方向シフトが酸化膜中に存在する正及び負の電荷の量と位置の変化により生じていることが分かった。
斎藤 一成; 吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 高橋 芳浩*; 大西 一功*
JAERI-Conf 97-003, p.243 - 248, 1997/03
傾斜エッチング法を用いて、
Co-線照射前後の6H-SiC MOS構造の酸化膜中の電荷分布評価を行った。その結果、照射前の酸化膜中には、6H-SiC/SiO
界面付近には、負電荷が存在しており、界面から40nm離れたところには正電荷が存在していることがわかった。また負電荷の一部は、時定数の大きな界面準位が、固定電荷として振る舞っているためであることもわかった。Co-線照射すると、照射中に印加している電圧の極性によりVmgの変化は異なり、これは、印加電圧の極性によって6H-SiC/SiO界面付近に捕獲される電荷が異なるためであることがわかり、ゲートに+10Vの電圧を印加すると界面には正電荷の蓄積が起こり、-10Vの電圧を印加すると界面には負電荷が蓄積されることがわかった。傾斜エッチング法は6H-SiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価に有効であることが確認された。
Esirkepov, T. Z.; Bulanov, S. V.; 宮島 悟史*; 伊藤 芳浩*; Koga, J. K.; 山極 満; 田島 俊樹
no journal, ,
JST戦略的創造研究推進事業のもとで実施している「放射線治療の高度化のための超並列シミュレーションシステムの開発」において分担している「レーザー駆動陽子線治療システムの研究」について研究開始後3年目の中間報告を行う。これまでに、PIC粒子シミュレーションによる超並列マルチパラメトリックランを行い、二重層ターゲットからの準単色エネルギーイオンビームの最大エネルギーについてのレーザー及びターゲットパラメータ依存性を詳細に解析した。また、「人体内線量分布計算用ソフトウェア群の開発」として、(1)X線CTデータを用いた人体モデル作成ツール, (2)入射陽子線のパラメータ(入射位置・入射方向・入射個数・エネルギースペクトル)を決定する照射パラメータ決定ツール, (3)モンテカルロ法による線量分布計算ツール, (4)得られた線量分布をX線CT画像上に重ね合わせ、標的体積・リスク臓器への付与線量を可視化する線量分布可視化ツールのプロトタイプを作成した。
大西 一功*; 高橋 芳浩*; 大木 隆広*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 伊藤 久義
no journal, ,
イオン入射によるSOI(Silicon On Insulator)素子中に発生する電荷挙動解明のために、酸化膜/半導体構造を有するモデル素子である金属/酸化膜/半導体(MOS)トランジスタに重イオンが入射したときに誘起される電流測定を行った。実験にはAlゲートMOSトランジスタ(電極面積100
)を用い、18MeV酸素イオン入射により発生するシングルイベント過渡電流を測定した。その結果、収集時間,ピーク強度の異なる正・負の電流が観測された。各電流を時間積分して電荷量を見積もったところ、照射後100ns程度で両者の値が同程度となり、総和は0となることが見いだされた。また、酸化膜を完全絶縁体としてシミュレーションンを試みたところ、測定された誘起電流が変位電流に起因すると解釈できた。
鈴木 伸一; 矢板 毅; 岡本 芳浩; 塩飽 秀啓; 元川 竜平; 小林 徹; 瀬古 典明; 松橋 信平; 河内 哲哉; 伊藤 久義; et al.
no journal, ,
平成23年3月11日に発生した東北地方太平洋沖地震に伴う東京電力福島第一原子力発電所の事故により、大量の放射性物質(放射性セシウム)が大気中に放出され、福島県を中心に広範囲に拡散した。そこで、日本原子力研究開発機構では、環境浄化への取り組みの一環として、高分子捕集材を用いた放射性セシウムの回収・除去技術開発を行っている。本研究では、開発した高分子捕集材を福島県飯舘村に持ち込み、飯樋地区及び長泥地区の農業用水を対象としたフィールド試験を行った。その結果、新規に開発したベンゾクラウンを坦持したシリカゲルを用いたトルネード吸着塔により、高効率でセシウムを回収し、希硝酸を用いることでベンゾクラウン坦持シリカゲルからセシウムを回収できることを確認し、ベンゾクラウン坦持シリカゲル及びトルネード吸着塔の有効性を実証できた。
矢板 毅; 小林 徹; 元川 竜平; 鈴木 伸一; 阿久津 和宏; 岡本 芳浩; 塩飽 秀啓; 瀬古 典明; 伊藤 久義; 河内 哲哉; et al.
no journal, ,
クラウンエーテルは、アルカリ金属に対するサイズ認識効果があることはこれまでも知られており、たとえばセシウムに対する選択性の観点では、カリックスクラウンエーテルなどが有名である。クラウンエーテルは、セシウム選択性が高く、その錯生成度定数は無機系の吸着剤に比べ小さいものの、逆に吸着後のセシウム剥離が容易であり、使用後の焼却処分が可能であるなど廃棄物の減容の点で大きな利点がある。このような背景からわれわれは、セシウム選択的なクラウンエーテル(ジベンゾ-20-クラウン-6エーテル, DB20C6)を新しく設計,開発した。このクラウンエーテルは、これまでのクラウンエーテルに比べ、環にイオンがはまり込むという特性に加えて、環が折れ曲がることによる包接的な錯形成をすることが単結晶構造解析及び放射光EXAFSなどの測定からわかっており、ホストゲスト化学の観点からも大変興味深い。本発表では、設計,合成方法,分離特性の結果について紹介する予定である。
横堀 智彦; 大杉 武史; 塙 律; 伊藤 圭祐; 小澤 一茂; 赤堀 光雄; 岡本 芳浩; 大越 実
no journal, ,
農地等の除染作業から発生する植物などの除染廃棄物を減容処理することを目的として、植物体の焼却過程から発生する排気系粒子中のCs分布について調査した。
桑原 彬; 大杉 武史; 塙 律; 伊藤 圭祐; 中塩 信行; 小澤 一茂; 目黒 義弘; 赤堀 光雄; 岡本 芳浩; 中島 邦彦*; et al.
no journal, ,
除染廃棄物の焼却灰等を溶融処理した場合の耐火物へのCs蓄積についての知見を得る目的で、Csを含む溶融スラグに耐火物を浸漬させる試験を行い、耐火物へのCs移動について調査した。耐火物でCsがとる化学形態について分析を行った。
大杉 武史; 塙 律; 伊藤 圭祐; 小澤 一茂; 岡本 芳浩; 赤堀 光雄; 大越 実
no journal, ,
除染廃棄物の減容化処理方法として、焼却,溶融といった熱的処理は、減容率が高いことから重要な選択肢である。我々は、除染廃棄物の焼却処理及び焼却から発生する焼却灰の溶融処理に関して、主に作業員へ放射線影響を与える要因という観点から、処理設備内でのCs挙動を明らかにすることを目的として、小規模試験装置を用いて試験を行っている。今回は実施している2つの試験(1)焼却発生粒子中のCs分布、(2)溶融炉耐火物中へのCs移行特性について報告する。
大杉 武史; 塙 律; 伊藤 圭祐; 横堀 智彦; 小澤 一茂; 赤堀 光雄; 岡本 芳浩; 目黒 義弘; 大越 実
no journal, ,
植物残渣を焼却する際に粘土鉱物を添加することにより、飛灰量及び飛灰中のCs濃度が抑制されることを示した。
の分布の分析大杉 武史; 塙 律; 伊藤 圭祐; 小澤 一茂; 赤堀 光雄; 岡本 芳浩; 大越 実; 中島 邦彦*; 齊藤 敬高*
no journal, ,
Csを含む土壌の処理を検討するために、土壌中でCsがどのような状態で存在するのかを福島の土壌にCsを付着させた模擬土壌を用いて調査した。CsとFeの存在についてイメージングXAFSを用いて検討した結果、Csを多く含む領域では、Feが多いことが明らかになった。
