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Depth profiling of oxide-trapped charges in 6H-SiC MOS structures by slant etching method

傾斜エッチング法による6H-SiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価

斎藤 一成; 吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 高橋 芳浩*; 大西 一功*

Saito, Kazunari; Yoshikawa, Masahito; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; Takahashi, Yoshihiro*; Onishi, Kazunori*

傾斜エッチング法を用いて、$$^{60}$$Co-$$gamma$$線照射前後の6H-SiC MOS構造の酸化膜中の電荷分布評価を行った。その結果、照射前の酸化膜中には、6H-SiC/SiO$$_{2}$$界面付近には、負電荷が存在しており、界面から40nm離れたところには正電荷が存在していることがわかった。また負電荷の一部は、時定数の大きな界面準位が、固定電荷として振る舞っているためであることもわかった。$$^{60}$$Co-$$gamma$$線照射すると、照射中に印加している電圧の極性によりVmgの変化は異なり、これは、印加電圧の極性によって6H-SiC/SiO$$_{2}$$界面付近に捕獲される電荷が異なるためであることがわかり、ゲートに+10Vの電圧を印加すると界面には正電荷の蓄積が起こり、-10Vの電圧を印加すると界面には負電荷が蓄積されることがわかった。傾斜エッチング法は6H-SiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価に有効であることが確認された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

JAERI-Conf 97-003

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.243 - 248

発行年月

 :

1997/03

発表会議名

 :

7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research

開催年月

 :

1996/03

開催都市

 :

Takasaki

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

MOS構造; 傾斜エッチング; 酸化膜中電荷分布; 6H-SiC-SiO$$_{2}$$; Vmg; $$^{60}$$Co-$$gamma$$線照射

特許データ

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