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伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇*; 作間 栄一郎*
Journal of Applied Physics, 66(9), p.4529 - 4531, 1989/11
被引用回数：120 パーセンタイル：97.34(Physics, Applied)エピタキシャル成長3C-SiC(立方晶シリコンカーバイド)結晶における電子線照射誘起欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法により調べた。この結果、電子線照射3C-SiCにおいて、g値として2.0029
0.0001なる値をとり、分離幅約1.5Gで等間隔に分離した等方的な5本線スペクトルを示す欠陥(ESRセンター)が生成されることが明らかになった。また、電子線照射3C-SiCの等時及び等温アニールの結果、このESRセンターは3種類のステージ(150
C、350C、750C)においてアニールされ、特に750Cにおけるアニール過程は活性化エネルギー2.20.3eVの一次反応で表されることが解った。
伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇*; 作間 栄一郎*
JAERI-M 89-094, 13 Pages, 1989/07
化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その1MeV電子線照射効果を電子スピン共鳴法を用いて調べた。その結果、電子線照射により3C-SiC中に4種類の常磁性欠陥(T1~T4センター)が誘起されることが判明した。T1センターは等間隔で分離した(分離幅約1.5G)等方的な5本線で構成され、そのg値は2.00290.0001であることが見いだされた。また、T2センターは100以下の低温で出現し異方性を持つこと、並びにT3及びT4センターは室温において検出され異方性を示すことが解った。さらに、電子線照射3C-SiCの等時アニールの結果、T1センターのアニール過程において3種類のステージ(150C、350C、750C)が存在することが明らかになった。一方、T3、T4センターについては各々100C、350Cにアニールステージを持つことが見いだされた。
伊藤 久義; 吉川 正人; 早川 直宏; 作間 栄一郎*; 梨山 勇*
EIM-88-120, p.25 - 34, 1988/12
CVD(Chemical Vapor Deposition)法により作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その電子線照射損傷を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、3C-SiC中に電子線照射により誘起される4種類のESRセンター(T1~T4センター)が存在することを見い出した。T1センターは等間隔で分離した等方的な5本線で構成され、そのg値は2.00290.0001である。T2センターは約100k以下の低温で検出され、異方性を持つ。T3及びT4センターは室温において観測され、かつ異方性を示す。さらに、照射試料の等時及び等温アニールにより、欠陥のアニール挙動について調べた。
