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論文

半導体シリコンの中性子ドーピング技術

山本 章; 八剣 達雄*

原子力工業, 25(1), p.65 - 69, 1979/00

シリコンを中性子照射してリンをドーピングする技術は1977年には実用段階に入り、主に大電力用素子の生産に用いられている。そして今やこのNTDシリコンは、世界の主要研究炉で照射され、生産されており、その抵抗率分布が均一であるという優れた特性によって市場を拡大している。NTDの技術は、半導体産業が原子力技術を生産に応用した点で画期的であり、また中性子による核変換によって生成した安定核種に着目する点でユニークである。この報告は、NTDの原理開発の歴史、在来法との比較、そして原子炉による照射技術について概観したものである。

報告書

JMTR燃料溶融事故に対する計装の応答; 事故事例研究シリーズ,その1

八剣 達雄

JAERI-M 4453, 21 Pages, 1971/05

JAERI-M-4453.pdf:0.8MB

JMTR燃料に流路閉塞が起こり、1本要素の約1/10の燃料(U$$^{2}$$$$^{3}$$$$^{5}$$20g)が溶融した場合を想定し、各計装の感度応答を検討した。燃料溶融部分に含まれるFPのうち一次冷却水に放出される割合を100%と仮定した。当然のことながら、この程度の規模の想定事故では殆んどの計装はスケールオーバーする。警報が発せられれば破損を認知できるので、感度より逆算して各計装の警報設定点における検知可能な最少燃料溶融量も算出している。数10mgの燃料溶融で殆んどのモニターが警報を発する。附録にアメリカ国内で経験された材料試験炉の主な燃料破損などについて述べた。このような事例研究は、JMTRの安全確保に必要があるので今後も続ける。

論文

国産一号炉の建設白書; 炉本体,水・ガス系統

八剣 達雄

原子力工業, 8(4), 7 Pages, 1962/00

抄録なし

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