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麦林 裕弘*; 有村 従郎*; 内田 敏仁*; 町山 友暁*; 鈴木 義男*; 瀬古 典明; 玉田 正男
JAEA-Review 2008-055, JAEA Takasaki Annual Report 2007, P. 41, 2008/11
放射線グラフト重合技術により水溶性で鉛が捕集可能なグラフト捕集材の合成を検討した。基材のメチルセルロースに電子線を照射し、グリシジルメタクリレートをグラフトした後、イミノ二酢酸を官能基として付与した。その結果、合成の最適化ではグラフト率が40から60%の時に他のグラフト率の範囲よりも吸着容量が高い結果が得られたものの、商品化するにはコスト高であった。そのため、基材にでんぷんを用い、アクリル酸をグラフトしたところ、鉛に対する吸着性能は3割程度劣るが、費用対効果はメチルセルロースの3倍に改善することができたことで、商品化できる見通しが得られた。
/4H-SiC(0001) interface山下 健也*; 北畠 真*; 楠本 修*; 高橋 邦匡*; 内田 正男*; Miyanaga, Ryoko*; 伊藤 久義; 吉川 正人
Materials Science Forum, 389-393, p.1037 - 1040, 2002/00
被引用回数：3 パーセンタイル：16.1(Materials Science, Multidisciplinary)高温酸素中で炭化ケイ素(SiC)表面に酸化膜(SiO)を作製すると、酸化膜と炭化ケイ素の界面(SiO/SiC界面)には、界面中間層と呼ばれる酸化膜でも炭化ケイ素でもない層が形成されることが知られている。この層には炭素が多量に存在しており、MOS構造を形成したときの界面準位発生の原因になっていると考えられている。今回の発表では、水素燃焼酸化法を用いて4H-SiC表面に作製した酸化膜に水蒸気アニーリングを施した試料と施さない試料について、それぞれの酸化膜中の炭素濃度を二次イオン質量分析(SIMS)法によって分析し、炭素の酸化膜内部の深さ方向分布を調べた。その結果、水蒸気アニーリングを施した試料からは多量の炭素が検出されたが、施さなかった試料からは検出されなかった。このことから、酸化によって発生した界面中間層の内部に存在する炭素が、水蒸気アニーリングによって酸化され、酸化膜内部に再分布する可能性が示唆された。
