JOPSS:検索結果一覧

検索結果：　4 件中 1件目～4件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

論文

Excess carrier lifetime in p-type 4H-SiC epilayers with and without low-energy electron irradiation

加藤正史*; 松下由憲*; 市村正也*; 畑山智亮*; 大島武

Japanese Journal of Applied Physics, 51(2), p.028006_1 - 028006_2, 2012/02

https://doi.org/10.1143/JJAP.51.028006

被引用回数：16 パーセンタイル：55.56(Physics, Applied)

炭化ケイ素(SiC)の耐放射線性に関する研究の一環として、電子線照射によるp型六方晶(4H)SiC半導体中のキャリア寿命の変化をマイクロ波光導電減衰法により調べた。室温にて170keVの電子線を照射した結果、未照射では0.1s程度であったキャリア寿命が、照射量の増加とともに減少し、10 $^{17}$ /cm $^{2}$ 照射後には0.02sとなることが明らかとなった。また、照射後、窒素中,1000 $^{circ}$ Cでの熱処理により0.08sまで回復することが判明した。n型4H-SiCにおいては、キャリア寿命はZ $_{1/2}$ と呼ばれる欠陥により低下することが明らかとなっているが、Z $_{1/2}$ は1500 $^{circ}$ C程度まで安定であり、今回の1000 $^{circ}$ C熱処理では変化しない。このことから、n型とp型では異なる欠陥がキャリア寿命低下に関与すると結論できた。

論文

Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method

松下由憲*; 加藤正史*; 市村正也*; 畑山智亮*; 大島武

Materials Science Forum, 645-648, p.207 - 210, 2010/00

耐放射線性半導体デバイスへの応用が期待される炭化ケイ素(SiC)の電子線照射による伝導キャリアの寿命変化をマイクロ波光伝導減衰法(-PCD)により評価した。試料は、ボロン添加p型六方晶(4H)SiC基板上に作製したアルミニウム添加p型4H-SiCエピタキシャル膜を用い、160keVの電子線を110 $^{16}$ cm $^{-2}$ (ele-16)又は110 $^{17}$ cm $^{-2}$ (ele-17)照射することで損傷を導入した。-PCDの結果、未照射, ele-16, ele-17の試料のキャリアの寿命は、それぞれ、0.14s, 0.07s及び0.04sとなり、電子線照射量の増加とともに、低下することが判明した。これより、160keV電子線照射により導入される損傷はキャリアの再結合中心として働くことが結論できた。

論文

Pressure dependence of the irradiation-induced ferromagnetism in Fe-Ni invar alloys

松島康*; Sun, N. Q.*; 金光裕昭*; 松下正史*; 岩瀬彰宏*; 知見康弘; 石川法人; 神原正*; 小野文久*

Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 298(1), p.14 - 18, 2006/03

https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2005.02.065

被引用回数：8 パーセンタイル：38.44(Materials Science, Multidisciplinary)

近年見いだされたFe-Niインバー合金における照射誘起強磁性について、圧力依存性を7.5GPaまでの静水圧下で調べた。試料は、Fe-30.2at% Niインバー合金板に80MeV Xeイオンを照射し、照射領域のキュリー温度が63K上昇したものである。キュリー温度は圧力が高くなるにつれて降下するが、その降下量の圧力依存性から、照射によって誘起された強磁性が遍歴電子によること(遍歴電子強磁性)がわかった。

口頭

電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム

加藤正史*; 松下由憲*; 市村正也*; 畑山智亮*; 大島武

no journal, ,

耐放射線性半導体への応用が期待される炭化ケイ素(SiC)半導体中に、電子線照射により発生する欠陥が伝導キャリアの寿命へ及ぼす影響を調べた。試料にはp型の六方晶(4H)SiCエピタキシャルを用い、160keV電子線を1.010 $^{16}$ /cm $^{2}$ 又は1.010 $^{17}$ /cm $^{2}$ 照射した。また、照射後、1000 $^{circ}$ C窒素中で10分間熱処理を行った試料も併せて調べた。照射前後のキャリア減衰曲線を反射マイクロ波光導電減衰で調べたところ、照射量の増加とともに減衰が早くなることがわかり、これより、キャリアの寿命が短くなることが明らかとなった。また、熱処理を行うことで減衰曲線の減衰が遅くなり、キャリアの寿命が長くなったことが判明したが、未照射試料の値までは戻らず、今回の熱処理では結晶性が完全には回復しないと帰結された。