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豊島 快幸*; 赤川 巧*; 山崎 達雄*; 浦 哲二*; 佐藤 勝也; 長谷 純宏; 鳴海 一成
no journal, ,
麹菌(
)は醤油,清酒,味噌などの醸造産業において利用される重要な微生物である。イオンビームを麹菌育種へ利用することを目的として、麹菌育種のためのイオンビーム照射条件や照射後の麹菌の変異効果について検討を行った。イオンビームの吸収線量の違いによる麹菌の生存率,変異率を比較した結果、生存率は吸収線量が大きくなるに従い低下した。また、各吸収線量での変異率は400Gyで最大を示した。次に、取得した変異株の変異パターンをPCRにより解析した結果、特定遺伝子領域の増幅が認められないものが見いだされ、遺伝子欠損が生じているものと考えられた。これらの株は全耐性株の約27%を占めており、高い確率で遺伝子欠損株が得られているものと推測された。また、400Gy照射区では欠損変異が示唆される株の割合が57%であり、他の照射区に比べ極めて高い割合であった。以上のことから、凍結乾燥処理を行った麹菌のイオンビーム照射では400Gy程度の線量で高い変異効果が期待でき、遺伝子の欠損変異が高い割合で生じているものと考えられた。
田中 寿基*; 豊島 快幸*; 赤川 巧*; 山崎 達雄*; 浦 哲二*; 岩下 和裕*; 三上 重明*; 佐藤 勝也; 鳴海 一成
no journal, ,
イオンビーム照射は従来のUV照射などに比べて高い変異率を示し、変異導入法として非常に有用である。しかし、ゲノム構造に及ぼす影響については十分に明らかにされていない。そこで本研究では、イオンビームが麹菌ゲノムに与える影響をサザン解析,パルスフィールド電気泳動(PFGE)及び麹菌GeneChipを用いた解析を行った。サザン解析によって選抜した変異株についてPFGEを行った結果、イオンビーム照射株の中に親株とは異なる泳動パターンを示す株が見いだされ、この変異株ではゲノムDNAに欠損が起きているものと予測された。麹菌の全遺伝子が搭載されている麹菌GeneChipを用いてCGH解析を行った結果、PFGEにおいて欠損が示唆された変異株において大規模な遺伝子の欠損(8番染色体末端部分の142個の遺伝子を含むおよそ340キロ塩基対)が生じていることが確認された。以上のことから、イオンビームを用いることによって麹菌ゲノム中に大規模な欠損変異を誘発可能であることが明らかとなった。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 兼村 瑠威*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; et al.
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFETにおいてはさまざまな面方位のSiO
/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態の詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000))において酸化過程のリアルタイム光電子分実験を行った。熱酸化過程については基板温度を340Kから920Kとした。分子線酸化過程については並進運動エネルギーが1.12eVから2.32eVの超音速分子線を用いて初期酸化反応を研究した。その結果、820KにおいてはSi(113)ではO1s光電子スペクトルの高結合エネルギー成分(HBC)の強度が顕著に減少することがわかった。この傾向は熱酸化と分子線酸化のすべての条件で共通している。このHBC強度の減少はSi(113)面において歪んだSi-O-Si結合が形成されやすいことに対応する。また、熱酸化ではSi
状態が支配的であるのに対して、室温で行った分子線酸化ではSi
状態が支配的となる現象を見いだした。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造をもつMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。Si(113)面の酸素分子による初期酸化過程を明らかにするため、本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)においてリアルタイム光電子分光実験を行った。Si(113)-(3
2)表面のSi2pスペクトルから、Si
, Si
, Si, Siの順番で順次酸化状態が現れた。表面において最も活性なダングリングボンドを有するサイトからの光電子信号が消失した後で直ちにSi成分が出現することから、酸素が局所的に寄り集まって形成される酸化島が低被覆率でも成長し得ると結論した。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Si電子デバイスの3次元MOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。これまでに、熱酸化過程の解析からSi2p状態とO1s状態とを同時に解析することによりSiO/Si界面 におけるSi-O-Si歪みの評価が可能になる結果を得ているが、Si高指数面の初期酸化反応のメカニズムについてはまだよくわかっていない。本研究では、SPring-8のBL23SU表面化学実験ステーション(SUREAC2000)において、酸化過程のリアルタイム光電子分光実験を行った。Si高指数面のうち、Si(113)面に絞って初期酸化反応を調べた結果を報告する。酸化の最初期(2.4L)の時点までにバンドベンディング変化量(
BB)が急激に変化することを見いだした。