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Si(113)表面初期酸化過程における電子状態の解析

Analysis of electronic states in initial oxidation processes on Si(113)

大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*

Ono, Shinya*; Abe, Sosuke*; Miura, Shu*; Narishige, Takuma*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*

Si電子デバイスの3次元MOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO$$_{2}$$/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。これまでに、熱酸化過程の解析からSi2p状態とO1s状態とを同時に解析することによりSiO$$_{2}$$/Si界面 におけるSi-O-Si歪みの評価が可能になる結果を得ているが、Si高指数面の初期酸化反応のメカニズムについてはまだよくわかっていない。本研究では、SPring-8のBL23SU表面化学実験ステーション(SUREAC2000)において、酸化過程のリアルタイム光電子分光実験を行った。Si高指数面のうち、Si(113)面に絞って初期酸化反応を調べた結果を報告する。酸化の最初期(2.4L)の時点までにバンドベンディング変化量($$Delta$$BB)が急激に変化することを見いだした。

no abstracts in English

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