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西尾 敏; 植田 脩三; 栗原 良一; 黒田 敏公*; 三浦 秀徳*; 迫 淳*; 高瀬 和之; 関 泰; 安達 潤一*; 山崎 誠一郎*; et al.
Fusion Engineering and Design, 48(3-4), p.271 - 279, 2000/09
被引用回数：17 パーセンタイル：71.94(Nuclear Science & Technology)将来の商用炉として環境安全性及び保守性に重点をおいたDREAM炉を過去にすでに提案した。そこでは材料開発の著しい進展が前提とされている。実験炉の次の原型炉の建設予定時期においては、材料は開発途上であることが想定され、そのことを前提として原型炉ドリームの概念構築を試みた。以下、検討の結果得られた主なパラメータを商用炉との比較をし、記述する。
西尾 敏; 植田 脩三; 青木 功; 栗原 良一; 黒田 敏公*; 三浦 秀徳*; 功刀 資彰; 高瀬 和之; 関 泰; 新谷 吉郎*; et al.
Fusion Engineering and Design, 41, p.357 - 364, 1998/00
被引用回数：51 パーセンタイル：95.4(Nuclear Science & Technology)トカマク炉は保守が困難であるとの指摘がなされており、その原因としては、以下の3つが考えられる。(1)プラズマ周辺機器に作用する電磁力。これは電磁力に耐える強固な支持機械と容易な着脱性を同時に満足することが困難なことによる。(2)保守作業中の高い放射線環境条件。このような環境下で実用に耐える材料および機器は極めて限られる。(3)トカマク装置の幾何形状の複雑さ。トカマク装置の主要機器は互いに交鎖しており、かつ機器配置が窮屈である。これを克ふくするために高アスペクトで、SiC/SiC材料を用いたトカマクを提案した。
西尾 敏; 植田 脩三; 青木 功; 黒田 敏公*; 三浦 秀徳*; 栗原 良一; 功刀 資彰; 関 泰
Fusion Energy 1996, 3, p.693 - 699, 1997/00
トカマク型核融合炉の弱点のひとつに機器構成の複雑性及び使用材料の放射化に起因して保守・修理の困難さを伴うことが指摘されている。その困難さを大幅に軽減するために極低放射化材料を使用するとともに、トーラス体を放射状に等分割し、それぞれのセクターを組立ユニットとする新たな炉概念DREAM炉を提案した。主な特徴は、(1)SiC/SiC複合材の導入により、保守時の放射線線量率を著しく低減し、さらにディスラプション時の電磁力発生を回避した。加えて、強い耐熱性故高温ヘリウム冷却が可能となり熱効率が向上した。(2)プラズマアスペクト比を大きくしたことにより、配管系をトーラス内側に引き出すことが可能となった。さらにブートストラップ電流の比率が大きくなり所内電力比が低減された。
宮部 賢次郎*; 三浦 信; 浅野 智宏; 成田 脩
PNC TN843 82-07, 76 Pages, 1982/06
環境データ図形表示システムDIAMONDは,環境監視テレメータシステムにより収集している気象情報及び放出源情報をもとに,各施設から放出される放射性物質の大気拡散等の計算結果ならびに,連続監視データを視覚化し,周辺環境への放射線(能)の分布状況を容易にかつ迅速に把握することを目的として開発したシステムである。計算結果は,再処理工場の主排気筒を中心とした周辺地図上にコンター図として出力され,連続監視データについては時系列グラフとして出力される。システムは,データ処理装置IBM370/115とグラフィック・インテリジェンス・ターミナルNWX-501及びその周辺機器等から成り立っている。また,プログラムは,FORTRAN-IVで作成されており,実行のためにはオンライン処理用ソフトウエアETSS-IIを用い,対話型により行う。本レポートは,DIAMONDに係るシステムの構成,計算に使用しているモデル,操作方法等についてまとめた。
12月)浅野 智宏; 三浦 信; 大和 愛司*; 圷 憲*; 成田 脩; 野村 保*; 黒須 五郎; 須藤 雅之*
PNC TN844 82-03, 147 Pages, 1982/03
この報告書は,再処理工場の周辺地域において,1981年1月から12月までの期間に,動燃事業団東海事業所で行った環境放射線モニタリングの結果をとりまとめたものである。再処理工場周辺の環境放射線モニタリングは,「動燃事業団東海事業所再処理工場保安規定,第IV編環境監視」に従い実施されている。本報告には,保安規定に定められた環境放射能および放射線監視項目についてその測定結果が主として掲載されている。
三浦 信; 成田 脩; 篠原 邦彦*; 浅野 智宏
PNC TN843 81-08, 240 Pages, 1981/09
原子力施設から大気中に放出される放射性雲からのガンマ線に起因する照射線量率を計算し,線図として本レポートにまとめた。計算は,計算コードPLUMEXにより行った。本レポートでは,「発電用軽水型原子炉施設周辺の線量目標値に対する評価指針について」に基づき,ガンマ線エネルギーは,平均エネルギー0.5MeVとして計算した。また,鉛直方向の濃度分布の拡がりのパラメータ
zは,「発電用原子炉施設の安全解析に関する気象指針について」に基づき,zが1000mを越えた場合には,1000mとして取り扱うこととした。なお,放射性物質の放出率は1Ci/hr,風速は1m/secとして計算した。計算結果は,風下軸上地表照射線量率分布図,風下軸を中心とした角度方向への地表照射線量率分布図,および,地表等照射線量率分布図としてまとめた。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 兼村 瑠威*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; et al.
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFETにおいてはさまざまな面方位のSiO
/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態の詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000))において酸化過程のリアルタイム光電子分実験を行った。熱酸化過程については基板温度を340Kから920Kとした。分子線酸化過程については並進運動エネルギーが1.12eVから2.32eVの超音速分子線を用いて初期酸化反応を研究した。その結果、820KにおいてはSi(113)ではO1s光電子スペクトルの高結合エネルギー成分(HBC)の強度が顕著に減少することがわかった。この傾向は熱酸化と分子線酸化のすべての条件で共通している。このHBC強度の減少はSi(113)面において歪んだSi-O-Si結合が形成されやすいことに対応する。また、熱酸化ではSi
状態が支配的であるのに対して、室温で行った分子線酸化ではSi
状態が支配的となる現象を見いだした。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造をもつMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。Si(113)面の酸素分子による初期酸化過程を明らかにするため、本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)においてリアルタイム光電子分光実験を行った。Si(113)-(3
2)表面のSi2pスペクトルから、Si
, Si
, Si, Siの順番で順次酸化状態が現れた。表面において最も活性なダングリングボンドを有するサイトからの光電子信号が消失した後で直ちにSi成分が出現することから、酸素が局所的に寄り集まって形成される酸化島が低被覆率でも成長し得ると結論した。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Si電子デバイスの3次元MOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。これまでに、熱酸化過程の解析からSi2p状態とO1s状態とを同時に解析することによりSiO/Si界面 におけるSi-O-Si歪みの評価が可能になる結果を得ているが、Si高指数面の初期酸化反応のメカニズムについてはまだよくわかっていない。本研究では、SPring-8のBL23SU表面化学実験ステーション(SUREAC2000)において、酸化過程のリアルタイム光電子分光実験を行った。Si高指数面のうち、Si(113)面に絞って初期酸化反応を調べた結果を報告する。酸化の最初期(2.4L)の時点までにバンドベンディング変化量(
BB)が急激に変化することを見いだした。
田中 一馬*; 大野 真也*; 小玉 開*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 田中 正俊*
no journal, ,
Recently, the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with three-dimensional nanostructure such as Si nanowire transistor were proposed. In these devices, there exist an SiO/Si interface grown on high-index planes. Therefore, research of the structure and chemical bonding nature of such an interface is an urgent task. In our previous work, we showed that characterization of the deformed Si-O-Si at the SiO/Si interface on Si(113) may be possible by analyzing both Si 2p and O 1s states simultaneously in the thermal oxidation process. However, the initial oxidation process on Si(113) at room temperature (RT) is still poorly understood. In this work, we investigated the initial oxidation process on Si(113) surfaces by real-time photoelectron spectroscopy.
